| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·课题研究意义 | 第7-8页 |
| ·MMIC LNA的发展及现状 | 第8-10页 |
| ·论文的主要难点及工作安排 | 第10-11页 |
| ·论文的主要难点 | 第10页 |
| ·本论文的主要安排 | 第10-11页 |
| 第二章 低噪声放大电路理论 | 第11-27页 |
| ·二端口网络理论 | 第11-14页 |
| ·二端口网络的散射参数 | 第11-13页 |
| ·二端口网络的信号流图 | 第13-14页 |
| ·噪声理论 | 第14-17页 |
| ·噪声系数和等效噪声温度 | 第14-15页 |
| ·二端口网络的噪声和等噪声系数圆 | 第15-16页 |
| ·级联二端口网络的噪声 | 第16-17页 |
| ·稳定性分析 | 第17-19页 |
| ·稳定性条件 | 第17-18页 |
| ·绝对稳定判别准则 | 第18-19页 |
| ·阻抗匹配 | 第19-22页 |
| ·阻抗匹配的目的 | 第19-20页 |
| ·集总参数元件匹配电路 | 第20-21页 |
| ·分布参数元件电路匹配网络的设计 | 第21-22页 |
| ·微波低噪声放大器的主要设计指标 | 第22-26页 |
| ·工作频率和带宽 | 第22页 |
| ·功率增益和增益平坦度 | 第22-24页 |
| ·输入、输出电压驻波比 | 第24-25页 |
| ·动态范围 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 MMIC中的有源器件和无源元件的分析与仿真 | 第27-45页 |
| ·有源器件 | 第27-33页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件原理 | 第28-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路 | 第29-30页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的噪声分析 | 第30-33页 |
| ·无源元件 | 第33-38页 |
| ·片上电感 | 第33-35页 |
| ·片上电容 | 第35-36页 |
| ·平面电阻 | 第36-37页 |
| ·接地和互联 | 第37-38页 |
| ·无源元件的仿真分析 | 第38-44页 |
| ·螺旋电感的仿真分析 | 第38-42页 |
| ·MIM电容的仿真分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜电阻的仿真 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 微波宽带单片低噪声放大器的设计 | 第45-59页 |
| ·主要设计指标 | 第45-46页 |
| ·MMIC的设计方法 | 第46页 |
| ·X波段微波单片低噪声放大器的设计 | 第46-55页 |
| ·设计方案 | 第47-48页 |
| ·直流偏置电路的设计 | 第48-49页 |
| ·低噪声放大器的稳定性分析 | 第49-51页 |
| ·方案一 | 第51-54页 |
| ·方案二 | 第54-55页 |
| ·电路的电磁仿真及版图设计 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 GaN MMIC的工艺简介 | 第59-63页 |
| ·GaN HEMT器件工艺 | 第59-61页 |
| ·无源元件工艺 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 研究成果 | 第71页 |