| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 低亚阈值摆幅器件 | 第11-17页 |
| 1.2.1 一般的低亚阈值摆幅器件 | 第11页 |
| 1.2.2 放大器件 | 第11-15页 |
| 1.2.3 隧穿器件 | 第15-17页 |
| 1.3 带带隧穿背景知识 | 第17-18页 |
| 1.4 横向隧穿场效应晶体管和纵向隧穿场效应晶体管介绍 | 第18-22页 |
| 第二章 隧穿的物理原理 | 第22-26页 |
| 2.1 势垒隧穿 | 第22页 |
| 2.2 WKB近似 | 第22-23页 |
| 2.3 Kane的隧穿方程 | 第23-24页 |
| 2.4 隧穿有效质量 | 第24-25页 |
| 2.5 APSYS中的带带隧穿模型 | 第25-26页 |
| 第三章 横向隧穿场效应晶体管的研究 | 第26-35页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 LTFET的APSYS研究 | 第27-35页 |
| 3.2.1 器件结构与参数 | 第27-28页 |
| 3.2.2 仿真结果 | 第28-33页 |
| 3.2.3 总结 | 第33-35页 |
| 第四章 纵向隧穿场效应晶体管的研究 | 第35-55页 |
| 4.1 新型VTFET器件结构的优化及验证 | 第35-41页 |
| 4.1.1 器件结构与参数 | 第35-36页 |
| 4.1.2 仿真结果及讨论 | 第36-41页 |
| 4.1.3 总结 | 第41页 |
| 4.2 纵向隧穿场效应晶体管的亚阈值特性研究 | 第41-55页 |
| 4.2.1 器件结构 | 第42页 |
| 4.2.2 仿真结果与分析 | 第42-54页 |
| 4.2.3 总结 | 第54-55页 |
| 第五章 纵向隧穿场效应晶体管阈值电压的研究 | 第55-73页 |
| 5.1 n~+重掺杂区和p~+源区为n~+/p~+情形 | 第55-62页 |
| 5.1.1 W>d_(NO) | 第56-60页 |
| 5.1.2 W≤d_(NO) | 第60-62页 |
| 5.2 n~+重掺杂区和p~+源区为n/p情形 | 第62-66页 |
| 5.2.1 W>d_(NO)(非耦合) | 第62-63页 |
| 5.2.2 W≤d_(NO)且W>>l(耦合) | 第63-66页 |
| 5.3 n~+重掺杂区和p~+源区为n~+/p情形 | 第66-68页 |
| 5.3.1 ζ_N≥ζ_P(V_(DO)≥E_g,耗尽型) | 第67页 |
5.3.2 ζ_N<ζ_P(V_(DO)| 第67-68页 | |
| 5.4 n+重掺杂区和p+源区为n/p+情形 | 第68-70页 |
| 5.4.1 ζ_N≤ζ_P(V_(DO)≥E_g,耗尽型) | 第69页 |
5.4.2 ζ_N>ζ_P(V_(DO)| 第69-70页 | |
| 5.5 仿真结果 | 第70-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第79-80页 |
