| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 简介 | 第12-19页 |
| 1.1 常用功率器件介绍 | 第12-15页 |
| 1.2 IGBT 器件的工作模式 | 第15-18页 |
| 1.2.1 IGBT 的反向阻断模式 | 第16页 |
| 1.2.2 IGBT 的正向阻断模式 | 第16-17页 |
| 1.2.3 IGBT 的导通模式 | 第17-18页 |
| 1.3 IGBT 器件的优缺点 | 第18-19页 |
| 2 半导体器件虚拟设计和仿真软件Medici | 第19-23页 |
| 2.1 半导体器件虚拟设计和仿真软件Medici 的简介 | 第19-20页 |
| 2.2 Medici 软件的特点 | 第20-23页 |
| 2.2.1 器件结构的网格化 | 第20-21页 |
| 2.2.2 器件仿真物理模型的选取 | 第21页 |
| 2.2.3 边界条件的选择 | 第21-22页 |
| 2.2.4 计算方法的选择 | 第22-23页 |
| 3 IGBT 器件的改进设想 | 第23-28页 |
| 3.1 IGBT 器件的缺点和常用解决方法明 | 第23-24页 |
| 3.1.1 IGBT 器件开关速度的限制 | 第23-24页 |
| 3.1.2 提升IGBT 器件开关速度的措施 | 第24页 |
| 3.2 改进IGBT 器件的设想1 | 第24-25页 |
| 3.3 改进IGBT 器件的设想2 | 第25-27页 |
| 3.4 改进IGBT 器件性能的目标 | 第27-28页 |
| 4 IGBT 仿真器件的建立和分析 | 第28-44页 |
| 4.1 IGBT 仿真器件的建立 | 第28-30页 |
| 4.2 漂移区结构参数与阻断电压的关系 | 第30-36页 |
| 4.2.1 NPT-IGBT 器件1 的仿真结果 | 第31-32页 |
| 4.2.2 器件2 的仿真结果 | 第32-33页 |
| 4.2.3 阻断条件下的仿真结果分析 | 第33-36页 |
| 4.3 少子分布与开关速度的关系 | 第36-39页 |
| 4.3.1 少子分布和仿真结果分析 | 第36-38页 |
| 4.3.2 NPT-IGBT 仿真器件3 的建立 | 第38-39页 |
| 4.4 IGBT 器件的关断特性分析 | 第39-43页 |
| 4.5 仿真结果分析结论 | 第43-44页 |
| 5 IGBT 器件的安全工作区的特性分析 | 第44-59页 |
| 5.1 IGBT 器件的“雪崩二次击穿”的仿真分析 | 第45-48页 |
| 5.2 IGBT 器件的“闩锁”效应仿真分析 | 第48-49页 |
| 5.2.1 器件的“闩锁”效应仿真结果 | 第48-49页 |
| 5.3 器件“雪崩二次击穿”和“闩锁”性能的改进措施和结果分析 | 第49-59页 |
| 5.3.1 器件“雪崩二次击穿”的改进措施 | 第49-50页 |
| 5.3.2 “闩锁”效应的改进措施 | 第50-51页 |
| 5.3.3 仿真结果分析 | 第51-59页 |
| 6 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 附录1：器件3 的建立和关断特性仿真程序 | 第63-67页 |
| 附录2：器件6 的建立和击穿特性仿真程序 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72页 |
