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高迁移率共轭聚合物场效应晶体管器件的研究

中文摘要第4-6页
英文摘要第6-7页
第一章 绪论第10-39页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 有机场效应晶体管简介第12-27页
        1.2.1 有机场效应晶体管的工作原理及分类第12-15页
        1.2.2 有机场效应晶体管的主要电学性能参数第15-18页
        1.2.3 有机场效应晶体管的组成第18-21页
        1.2.4 有机场效应晶体管的制备技术第21-24页
        1.2.5 有机场效应晶体管的应用第24-27页
    1.3 共轭聚合物半导体材料进展第27-32页
        1.3.1 吡咯并吡咯二酮类聚合物第28-30页
        1.3.2 萘酰亚胺及苝酰亚胺类聚合物第30-31页
        1.3.3 异靛蓝和BDOPV类聚合物第31-32页
    1.4 有机场效应晶体管的界面工程第32-37页
        1.4.1 半导体层/绝缘层界面第32-34页
        1.4.2 半导体层/电极层界面第34-36页
        1.4.3 半导体层/半导体层界面第36-37页
        1.4.4 半导体层/环境界面第37页
    1.5 本论文选题依据和意义第37-39页
第二章 高迁移率单极N型萘酰亚胺聚合物材料与场效应晶体管器件研究第39-52页
    2.1 引言第39-40页
    2.2 实验部分第40-43页
        2.2.1 实验试剂及仪器第40-41页
        2.2.2 聚合物PNBO的合成第41-42页
        2.2.3 基于聚合物PNBO的OFETs器件制备及表征第42-43页
    2.3 实验结果与讨论第43-51页
        2.3.1 热力学数据分析第43页
        2.3.2 光谱及电化学性能第43-45页
        2.3.3 聚合物PNBO场效应晶体管的基本电学性能测试第45-46页
        2.3.4 聚合物PNBO的形貌特征第46-48页
        2.3.5 对比材料聚合物PNBS、PNBSe第48-51页
    2.4 结论与展望第51-52页
第三章 聚合物分子量调控对薄膜凝聚态和器件性能的影响研究第52-65页
    3.1 引言第52-53页
    3.2 实验部分第53-55页
        3.2.1 实验试剂及仪器第53-54页
        3.2.2 基于聚合物PNBS-1 的OFETs器件制备及表征第54-55页
    3.3 实验讨论与结果第55-63页
        3.3.1 聚合物PNBS-1 分子量调控第55-56页
        3.3.2 聚合物PNBS-1 场效应晶体管的基本电学性能测试第56-58页
        3.3.3 聚合物PNBS-1 的形貌特征第58-61页
        3.3.4 聚合物PNBS-1 应用与非氯溶剂第61-63页
    3.4 结论与展望第63-65页
第四章 D-A共轭聚物薄膜的取向控制与场效应晶体管的各向异性传输研究第65-77页
    4.1 引言第65-66页
    4.2 实验部分第66-68页
        4.2.1 实验试剂及仪器第66-67页
        4.2.2 基于聚合物PDDPTzBT的OFETs器件制备及表征第67-68页
    4.3 实验结果与讨论第68-76页
        4.3.1 聚合物PDDPTzBT场效应晶体管的基本电学性能测试第68-69页
        4.3.2 聚合物PDDPTzBT的形貌特征第69-71页
        4.3.3 掺杂聚苯乙烯(PS)溶液第71-76页
        4.3.4 聚合物PDDPTzBT场效应晶体管电学性能的温度依赖性第76页
    4.4 结论与展望第76-77页
第五章 总结与展望第77-80页
    5.1 总结第77-78页
    5.2 问题与展望第78-80页
参考文献第80-97页
致谢第97-98页
在学期间公开发表论文情况第98-99页
申请专利及参加会议情况第99页

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