| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究成果及发展动向 | 第9-13页 |
| 1.2.1 电化学振荡 | 第9-12页 |
| 1.2.2 成核层去除 | 第12-13页 |
| 1.3 论文研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第13-14页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 电化学刻蚀InP实现可调电化学振荡 | 第15-25页 |
| 2.1 实验内容、步骤及实验过程 | 第15-16页 |
| 2.2 可调电化学振荡 | 第16-18页 |
| 2.3 外界干扰对电化学刻蚀InP的影响 | 第18-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 三维均匀有序纳米孔阵列结构制备及分析 | 第25-33页 |
| 3.1 三维均匀有序纳米孔阵列 | 第25-26页 |
| 3.2 时间电位曲线与多孔结构的对应关系分析 | 第26-28页 |
| 3.3 电流递减区间对电化学振荡及三维孔结构的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 扫描速率对电化学振荡曲线及三维孔阵列形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.5 扫描速率对三维纳米孔阵列均匀性有序性的影响 | 第30-31页 |
| 3.6 纳米阵列结构光学特性 | 第31-32页 |
| 3.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 激光干涉曝光诱导电化学刻蚀 | 第33-40页 |
| 4.1 双光束双曝光原理 | 第33-35页 |
| 4.2 双光束双曝光诱导电化学刻蚀InP | 第35-38页 |
| 4.2.1 干涉曝光特征尺寸对刻蚀InP结构的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.2 干涉曝光周期对刻蚀InP结构的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第5章 InP径向多孔结构簇及其生长机理 | 第40-48页 |
| 5.1 径向多孔结构簇 | 第40-42页 |
| 5.2 径向多孔结构簇的生长机理 | 第42-44页 |
| 5.3 双生径向多孔结构簇 | 第44-45页 |
| 5.4 径向多孔结构簇的应用前景 | 第45-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第6章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第48页 |
| 6.2 工作展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第54页 |
