| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-11页 |
| 1.2 GaAs材料钝化的研究进展 | 第11-15页 |
| 1.3 本论文选题的依据和主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 GaAs材料表面光学性质影响因子和硫钝化原理 | 第16-26页 |
| 2.1 GaAs材料表面光学性质影响因子 | 第16-22页 |
| 2.1.1 表面态对GaAs材料光学性质的影响 | 第16-18页 |
| 2.1.2 表面氧化物对GaAs材料光学性质的影响 | 第18-22页 |
| 2.2 GaAs材料的硫钝化原理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 GaAs材料的钝化方法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 GaAs材料表面硫钝化原理 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 硫钝化提高GaAs材料发光性能及稳定性的研究 | 第26-37页 |
| 3.1 湿法硫钝化提高GaAs材料发光性能的研究 | 第26-28页 |
| 3.1.1 GaAs材料的硫钝化实验 | 第26页 |
| 3.1.2 硫钝化后GaAs的发光性能表征与分析 | 第26-28页 |
| 3.2 硫钝化效果退化的理论分析 | 第28-30页 |
| 3.3 Al_2O_3薄膜沉积提高GaAs材料光学稳定性的研究 | 第30-36页 |
| 3.3.1 沉积方法的选择 | 第30-31页 |
| 3.3.2 沉积薄膜材料的选择 | 第31-33页 |
| 3.3.3 硫钝化的GaAs表面沉积Al_2O_3实验和性能表征 | 第33-35页 |
| 3.3.4 沉积Al_2O_3薄膜前后光学稳定性对比分析 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GaAs合金材料的硫钝化研究 | 第37-46页 |
| 4.1 GaAs_(0.95)Sb_(0.05)材料硫钝化实验及光学稳定性研究 | 第37-40页 |
| 4.2 GaAs_(0.04)Sb_(0.96)材料硫钝化研究 | 第40-45页 |
| 4.2.1 (NH_4)_2S溶液对GaAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的钝化 | 第40-42页 |
| 4.2.2 S_2Cl_2溶液对GaAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的钝化 | 第42-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 硕士期间的研究成果 | 第52页 |
