| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光刻技术的发展 | 第11-22页 |
| 1.2.1 极紫外光刻技术 | 第11-12页 |
| 1.2.2 X射线光刻技术 | 第12页 |
| 1.2.3 纳米压印光刻技术 | 第12-13页 |
| 1.2.4 电子束光刻技术 | 第13-14页 |
| 1.2.5 自组装光刻技术 | 第14-15页 |
| 1.2.6 浸没式曝光光刻技术 | 第15-16页 |
| 1.2.7 表面等离子体光刻技术 | 第16-22页 |
| 1.2.8 总结 | 第22页 |
| 1.3 本文主要解决的关键问题和创新点 | 第22-24页 |
| 1.3.1 在微米量级边界效应光刻技术方面 | 第23页 |
| 1.3.2 在亚百纳米耦合效应光刻技术方面 | 第23-24页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第24-25页 |
| 第二章 表面等离子体相关理论与计算 | 第25-40页 |
| 2.1 表面等离子体的基本理论 | 第25-31页 |
| 2.1.1 表面传导型SPs的基本理论 | 第25-30页 |
| 2.1.2 LSPs的基本理论 | 第30-31页 |
| 2.2 表面等离子体的基本特性 | 第31-32页 |
| 2.2.1 近场局域特性 | 第31-32页 |
| 2.2.2 短波长特性 | 第32页 |
| 2.2.3 非辐射特性 | 第32页 |
| 2.3 表面等离子体的激发方式 | 第32-35页 |
| 2.3.1 基于棱镜的衰减全反射方法 | 第33-34页 |
| 2.3.2 基于光栅的耦合方法 | 第34-35页 |
| 2.3.3 基于粗糙金属纳米几何结构散射方法 | 第35页 |
| 2.4 数值计算方法 | 第35-39页 |
| 2.4.1 FDTD的物理思想 | 第35-36页 |
| 2.4.2 吸收边界 | 第36-37页 |
| 2.4.3 误差分析 | 第37页 |
| 2.4.4 金属色散模型 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于表面等离子体边界效应的超分辨光刻技术 | 第40-49页 |
| 3.1 基于边界效应的光刻技术 | 第40-42页 |
| 3.2 基于表面等离子体边界效应的超分辨光刻技术（简称SPBSL） | 第42-47页 |
| 3.2.1 SPBSL的物理机制 | 第42-44页 |
| 3.2.2 SPBSL参数的分析与优化 | 第44-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 基于表面等离子体耦合效应的超分辨光刻技术 | 第49-62页 |
| 4.1 基于光耦合效应的光刻技术 | 第49-51页 |
| 4.2 基于表面等离子体耦合效应的超分辨光刻技术（简称SPCSL） | 第51-61页 |
| 4.2.1 SPCSL的物理机制 | 第51-53页 |
| 4.2.2 SPCSL的调制技术 | 第53-56页 |
| 4.2.3 SPCSL的增强技术 | 第56-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 边界效应相关光刻实验 | 第62-68页 |
| 5.1 相关实验材料与设备的介绍 | 第62-63页 |
| 5.1.1 实验材料的介绍 | 第62页 |
| 5.1.2 实验设备的介绍 | 第62-63页 |
| 5.2 PDMS软掩模的制作 | 第63-64页 |
| 5.3 基于边界效应光刻图形的制备 | 第64-66页 |
| 5.4 基于边界效应光刻实验的结果 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 全文总结 | 第68-69页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第78-79页 |