| 摘要 | 第10-12页 |
| Abstract | 第12-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-20页 |
| 1.1 GaN材料的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.1.1 GaN的物理特性 | 第15页 |
| 1.1.2 GaN的化学特性 | 第15-16页 |
| 1.1.3 GaN的电学特性 | 第16页 |
| 1.1.4 GaN的光学特性 | 第16页 |
| 1.2 GaN薄膜的制备 | 第16页 |
| 1.3 纳米多孔GaN材料的意义与制备 | 第16-19页 |
| 1.3.1 纳米多孔GaN薄膜材料的研究意义 | 第16-17页 |
| 1.3.2 纳米多孔GaN薄膜材料的制备 | 第17页 |
| 1.3.3 纳米多孔GaN薄膜材料的性质研究 | 第17-18页 |
| 1.3.4 纳米多孔GaN薄膜材料的应用 | 第18-19页 |
| 本章参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第20-24页 |
| 2.1 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 电化学刻蚀仪 | 第20-21页 |
| 2.1.2 退火炉 | 第21页 |
| 2.2 测试方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 表面形貌测试方法(AFM、SEM) | 第21-22页 |
| 2.2.2 晶体结构测试方法(TEM) | 第22页 |
| 2.2.3 发光特性的表征(PL) | 第22-23页 |
| 2.2.4 力学特性的表征(Raman) | 第23-24页 |
| 第三章 中性溶液制备纳米多孔GaN薄膜 | 第24-33页 |
| 3.1 实验样品制备和实验条件 | 第24-25页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第25-28页 |
| 3.2.1 刻蚀电压对刻蚀的影响 | 第25-27页 |
| 3.2.2 掺杂浓度对刻蚀的影响 | 第27-28页 |
| 3.3 在中性溶液中刻蚀的原理 | 第28-29页 |
| 3.4 刻蚀对晶格的影响 | 第29-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 纳米多孔GaN薄膜退火及其特性研究 | 第33-42页 |
| 4.1 实验部分 | 第33-34页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第34-38页 |
| 4.3 退火对晶格的影响 | 第38-40页 |
| 本章参考文献 | 第40-42页 |
| 第五章 酸性溶液中电化学刻蚀GaN基发光二极管(LED)及其相关性质研究 | 第42-56页 |
| 5.1 实验部分 | 第42-44页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第44-52页 |
| 5.2.1 刻蚀前后GaN基LED的表征 | 第44-46页 |
| 5.2.2 刻蚀机理分析 | 第46-49页 |
| 5.2.3 电压对刻蚀规律的影响 | 第49-50页 |
| 5.2.4 刻蚀对拉曼光谱与光致发光光谱影响分析 | 第50-52页 |
| 5.3 其它酸性电解质中刻蚀情况 | 第52-53页 |
| 本章参考文献 | 第53-56页 |
| 第六章 自支撑GaN基LED薄膜制备及其相关性质的研究 | 第56-64页 |
| 6.1 前沿 | 第56-57页 |
| 6.2 实验部分 | 第57-59页 |
| 6.3 自支撑GaN基LED薄膜的拉曼分析 | 第59-61页 |
| 6.4 自支撑GaN基LED薄膜的PL光谱分析 | 第61-62页 |
| 本章参考文献 | 第62-64页 |
| 第七章 总结 | 第64-66页 |
| 7.1 中性溶液电化学刻蚀GaN单晶薄膜 | 第64页 |
| 7.2 多孔GaN单晶薄膜在氨气气氛中热退火 | 第64-65页 |
| 7.3 电化学刻蚀具有多量子阱结构的GaN基薄膜 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 研究生期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 附录 (在研究生期间发表的英文文献) | 第68-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |