| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外相关研究现状 | 第8-10页 |
| ·总剂量效应国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·地面辐照试验国内外研究现状 | 第9页 |
| ·IO 电路总剂量效应国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·课题主要内容和结构安排 | 第10-11页 |
| 第二章 MOSFET 的总剂量效应 | 第11-21页 |
| ·总剂量效应产生机理 | 第11-13页 |
| ·辐照感生氧化层陷阱电荷 | 第12-13页 |
| ·辐照感生界面态电荷 | 第13页 |
| ·总剂量效应引起 MOS 器件参数的变化 | 第13-17页 |
| ·总剂量效应引起阈值电压的变化 | 第13-14页 |
| ·总剂量效应引起泄漏电流的变化 | 第14-16页 |
| ·总剂量效应对 MOS 器件其他参数的影响 | 第16-17页 |
| ·深亚微米工艺下的总剂量效应 | 第17-20页 |
| ·STI 结构概述 | 第17-18页 |
| ·STI 结构的总剂量效应 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 总剂量效应引起泄漏电流的失效模型及最劣偏置分析 | 第21-35页 |
| ·总剂量效应的影响因素 | 第21-24页 |
| ·总剂量效应引起泄漏电流失效模型 | 第24-31页 |
| ·亚阈值泄漏电流失效模型 | 第25-30页 |
| ·考虑场氧泄漏电流失效模型 | 第30-31页 |
| ·最劣偏置分析方法 | 第31-32页 |
| ·数字集成电路总剂量效应最劣偏置仿真分析方法 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 IO 电路的最劣偏置分析 | 第35-55页 |
| ·IO 电路的基本结构 | 第35-37页 |
| ·输出缓冲电路总剂量效应最劣偏置理论分析 | 第37-39页 |
| ·输出缓冲电路中三态控制电路的总剂量效应最劣偏置 | 第37-38页 |
| ·输出缓冲电路中输出级的总剂量效应最劣偏置 | 第38-39页 |
| ·输出缓冲电路的总剂量效应最劣偏置 | 第39页 |
| ·IO 电路的总剂量效应最劣偏置建模仿真分析 | 第39-52页 |
| ·总剂量效应引起标准单元泄漏电流失效建模 | 第40-44页 |
| ·使用 Spectre 仿真验证失效模型 | 第44-46页 |
| ·IO 输出缓冲电路总剂量效应最劣偏置建模仿真 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第五章 仿真及试验验证 | 第55-65页 |
| ·IO 电路总剂量效应最劣偏置仿真验证 | 第55-59页 |
| ·总剂量效应引起 MOS 管阈值电压漂移量分析 | 第55-56页 |
| ·IO 输出缓冲电路总剂量效应最劣偏置仿真分析 | 第56-59页 |
| ·IO 电路总剂量效应最劣偏置试验验证 | 第59-64页 |
| ·SRAM 辐照总剂量试验方案 | 第60-63页 |
| ·试验结果与讨论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·论文总结 | 第65-66页 |
| ·工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |