数字集成电路老化预测及单粒子效应研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| ·课题研究背景 | 第13-16页 |
| ·研究现状及发展 | 第16-18页 |
| ·单粒子效应的研究动态 | 第16-17页 |
| ·电路老化的研究动态 | 第17-18页 |
| ·本论文的主要工作及内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 基础知识介绍 | 第20-31页 |
| ·单粒子效应 | 第20-25页 |
| ·辐射环境 | 第20-21页 |
| ·单粒子效应翻转机理 | 第21-23页 |
| ·单粒子效应模拟技术 | 第23-25页 |
| ·电路老化技术的研究 | 第25-29页 |
| ·NBTI 机理 | 第26-28页 |
| ·电路老化失效预测和检测的区别 | 第28-29页 |
| ·EDA 仿真工具 | 第29-30页 |
| ·Cadence 介绍 | 第29页 |
| ·Hspice 介绍 | 第29-30页 |
| ·ISE-TCAD 介绍 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 一种用于老化预测的稳定性校验器设计 | 第31-41页 |
| ·老化预测原理 | 第31-32页 |
| ·相关工作 | 第32-35页 |
| ·ARSC 结构 | 第32-34页 |
| ·LSVFD 结构 | 第34-35页 |
| ·SCOL:带有锁存功能的稳定性校验器 | 第35-37页 |
| ·SCOL 单元结构及工作原理 | 第35-36页 |
| ·SCOL 的时序分析 | 第36-37页 |
| ·SCOL 单元的实验结果及分析 | 第37-40页 |
| ·SCOL 的抗老化能力仿真 | 第37-38页 |
| ·SCOL 与标准触发器对比 | 第38-39页 |
| ·SCOL 与其他稳定性校验器比较结果 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 集成电路单粒子效应模拟及加固 | 第41-57页 |
| ·体硅器件单粒子瞬态脉冲仿真 | 第41-47页 |
| ·单粒子瞬态脉冲器件级模拟 | 第41-43页 |
| ·LET 值对漏电流的影响 | 第43-44页 |
| ·入射位置对漏电流的影响 | 第44-45页 |
| ·电压对漏电流的影响 | 第45-46页 |
| ·不同的外电路连接方式产生的电流脉冲 | 第46-47页 |
| ·一种低开销的抗辐射加固 D 触发器设计 | 第47-56页 |
| ·C 单元工作原理 | 第47-48页 |
| ·抗 SEU 电路加固技术 | 第48-51页 |
| ·LHFF 加固 D 触发器结构 | 第51-53页 |
| ·实验仿真结果 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| ·研究内容总结 | 第57页 |
| ·对未来工作的展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第62-63页 |
