| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-46页 |
| ·热电学基础 | 第13-26页 |
| ·热电学发展历史 | 第13-14页 |
| ·热电效应简介 | 第14-16页 |
| ·热电器件及应用 | 第16-18页 |
| ·热电学相关固体理论 | 第18-26页 |
| ·热电材料的研究进展 | 第26-34页 |
| ·几种重要的热电材料 | 第26-31页 |
| ·优化热电性能的手段 | 第31-34页 |
| ·Mg_2Si系热电材料 | 第34-40页 |
| ·Mg_2B~Ⅳ(B~Ⅳ=Si,Ge,Sn)化合物的晶体结构和基本性质 | 第34-37页 |
| ·Mg_2(Si,Sn)基热电材料的研究现状 | 第37-40页 |
| ·La_3Te_4基热电材料 | 第40-42页 |
| ·La_3Te_4化合物的晶体结构和基本性质 | 第40-41页 |
| ·La_3Te_4高温热电材料的研究现状 | 第41-42页 |
| ·本课题研究思路及内容 | 第42-46页 |
| ·中温区Mg_2Si系热电材料 | 第42-43页 |
| ·高温区La_3Te_4基化合物 | 第43-46页 |
| 第二章 实验方法和仪器 | 第46-52页 |
| ·实验原料及仪器 | 第46-47页 |
| ·材料的制备流程 | 第47-48页 |
| ·材料的性能测试 | 第48-52页 |
| ·物相结构分析 | 第48页 |
| ·材料微观形貌及成分分析 | 第48页 |
| ·差示扫描量热法 | 第48页 |
| ·电输运性能测试 | 第48-49页 |
| ·高温热导率测量 | 第49-50页 |
| ·霍尔性能测试 | 第50-52页 |
| 第三章 Mg_2B~Ⅳ(B~Ⅳ=Si,Ge,Sn)系材料的制备 | 第52-72页 |
| ·B_2O_3助熔剂法制备Mg_2(Si,Sn)固溶体 | 第53-59页 |
| ·B_2O_3助熔剂法概述 | 第53页 |
| ·Mg_2(Si,Sn)固溶体的制备及性能 | 第53-59页 |
| ·钽管封装法制备Mg_2Si系热电材料 | 第59-65页 |
| ·钽管封装法概述 | 第59页 |
| ·钽管封装法制备Mg_2Si_(1-x)Sn_x及其热电性能 | 第59-61页 |
| ·钽管封装法制备Mg_2Ge_(1-x)Sb_x及其热电性能 | 第61-65页 |
| ·固相反应法制备Mg_2Si系材料 | 第65-70页 |
| ·固相反应法制备Mg_(2-x)Ca_xSi及其热电性能 | 第65-69页 |
| ·固相反应法制备Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 低热导Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)基材料的掺杂及性能优化 | 第72-102页 |
| ·Mg_2Si_(1-y)Sn_(y-0.013)Sb_(0.013)的制备及热电性能 | 第72-79页 |
| ·Mg过量对Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)性能的影响 | 第79-81页 |
| ·Sb掺杂Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)基样品的制备及性能 | 第81-88页 |
| ·Bi掺杂Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)基样品的制备及性能 | 第88-90页 |
| ·Zn取代Mg位Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)基材料的热电性能 | 第90-93页 |
| ·Zn、Sb共掺对Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)基材料性能的影响 | 第93-99页 |
| ·本章小结 | 第99-102页 |
| 第五章 能带收敛Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6)基材料的掺杂及性能优化 | 第102-114页 |
| ·Mg过量对Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6-x)Sb_x试样热电性能的影响 | 第102-108页 |
| ·MgCu_2第二相对Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6)热电性能的影响 | 第108-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 第六章 La_3Te_4基材料的热电性能研究 | 第114-128页 |
| ·Te位取代La_3Te_4基材料的制备及性能 | 第114-123页 |
| ·La位取代La_3Te_4基材料的制备及性能 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 结论与展望 | 第128-132页 |
| 参考文献 | 第132-142页 |
| 致谢 | 第142-144页 |
| 个人简介 | 第144页 |
