| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-16页 |
| 第二章 文献综述——硅中位错发光的研究现状 | 第16-40页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·晶体硅的基本光学性质 | 第17-19页 |
| ·硅基发光的研究进展 | 第19-22页 |
| ·多孔硅发光 | 第19页 |
| ·纳米硅晶的量子限制效应 | 第19-20页 |
| ·硅中缺陷位错 | 第20页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ化合物半导体发光器件与Si的键合 | 第20页 |
| ·稀土掺杂体系 | 第20-21页 |
| ·FeSi_2化合物 | 第21页 |
| ·锗硅能带调控工程 | 第21-22页 |
| ·拉曼激光 | 第22页 |
| ·硅中位错发光的研究进展 | 第22-37页 |
| ·经塑性变形引入的位错光致发光研究 | 第23-24页 |
| ·硅中位错电致发光研究 | 第24-26页 |
| ·位错环增强硅pn结发光 | 第26-30页 |
| ·离子注入引入的位错及其发光性能研究 | 第30-32页 |
| ·硅片键合引入的位错及其发光性能研究 | 第32-33页 |
| ·氧沉淀引入的位错及其发光性能研究 | 第33-34页 |
| ·锗硅外延引入的位错及其发光性能研究 | 第34-35页 |
| ·位错发光机制的相关解释 | 第35-37页 |
| ·当前引入硅中位错方法总结 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-40页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第40-44页 |
| ·材料制备设备 | 第40页 |
| ·电子束辐照设备 | 第40页 |
| ·电极制备 | 第40页 |
| ·旋涂设备 | 第40页 |
| ·热处理设备 | 第40页 |
| ·材料制备工艺 | 第40-41页 |
| ·电子束辐照工艺 | 第40-41页 |
| ·pn结制备工艺 | 第41页 |
| ·电极制备 | 第41页 |
| ·材料测试表征 | 第41-44页 |
| ·显微形貌表征 | 第41页 |
| ·光学性能表征 | 第41-42页 |
| ·晶体结构表征 | 第42-43页 |
| ·硅中间隙氧浓度的测试 | 第43页 |
| ·电学性能测试设备 | 第43-44页 |
| 第四章 电子束辐照诱生硅中位错及其缺陷结构信息 | 第44-62页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验 | 第44-45页 |
| ·实验样品 | 第44页 |
| ·电子束辐照实验设备与参数 | 第44-45页 |
| ·择优腐蚀 | 第45页 |
| ·实验结果与讨论 | 第45-59页 |
| ·电子束单点辐照诱生的硅中位错宏观形貌与密度 | 第45-49页 |
| ·电子束扫描辐照诱生的硅中位错宏观形貌与密度 | 第49-52页 |
| ·电子束辐照强度对诱生位错的影响 | 第52-53页 |
| ·电子束辐照时间对诱生位错的影响 | 第53-56页 |
| ·电子束辐照样品的倒易点阵空间图研究 | 第56-58页 |
| ·电子束诱生位错的透射电镜研究 | 第58-59页 |
| ·电子束诱生位错的机理解释 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第五章 直拉单晶硅中诱生位错的光致发光性能研究 | 第62-88页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-86页 |
| ·电子束诱生硅中位错的光致发光谱研究 | 第63-66页 |
| ·经不同热处理制度的诱生位错光致发光谱研究 | 第66-78页 |
| ·经优化热处理工艺处理的诱生位错室温光致发光谱研究 | 第78-79页 |
| ·电子束诱生位错在高温长时间热处理后D1峰位反常移动现象 | 第79-80页 |
| ·电子束诱生位错在高温长时间热处理前后物理结构信息研究 | 第80-81页 |
| ·电子束诱生位错在高温长时间热处理前后物理结构信息的研究 | 第81-84页 |
| ·D1室温发光与峰位反常移动现象的讨论 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 硅中位错发光系列谱线中0.78 eV峰来源的研究 | 第88-106页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·实验 | 第88-89页 |
| ·实验结果与讨论 | 第89-105页 |
| ·p型(100)FZ-Si和CZ-Si的光致发光谱研究 | 第89-92页 |
| ·p型(111)FZ-Si光致发光谱中的0.78 eV峰研究 | 第92-96页 |
| ·n型(111)FZ-Si光致发光谱中的0.78 eV峰研究 | 第96-100页 |
| ·FZ-Si在电子束辐照与热处理前后的X射线双晶衍射研究 | 第100-101页 |
| ·FZ-Si在电子束辐照前后的深能级瞬态谱研究 | 第101-102页 |
| ·经电子束辐照的FZ-Si在热处理前后的透射电子显微分析 | 第102-103页 |
| ·0.78eV峰来源的分析 | 第103-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第七章 直拉单晶硅中诱生位错的电致发光性能研究 | 第106-118页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·实验 | 第106-108页 |
| ·实验结果与讨论 | 第108-116页 |
| ·器件的结深与载流子分布情况 | 第108页 |
| ·器件的I-V特性 | 第108-109页 |
| ·电子束诱生位错样品的低温电致发光研究 | 第109-112页 |
| ·电子束诱生位错样品的定温度变功率电致发光谱研究 | 第112-114页 |
| ·电子束诱生位错样品的定功率变温度电致发光谱研究 | 第114-115页 |
| ·电子束诱生位错样品的室温电致发光谱研究 | 第115-116页 |
| ·电子束诱生位错样品电致发光谱相关现象的讨论 | 第116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第八章 铸造准单晶硅中原生位错与电子束诱生位错的光致发光性能研究 | 第118-136页 |
| ·引言 | 第118-119页 |
| ·实验 | 第119-120页 |
| ·实验结果与讨论 | 第120-135页 |
| ·铸造准单晶硅中原生位错光致发光性能研究 | 第120-128页 |
| ·铸造准单晶硅中电子束诱生位错光致发光性能研究 | 第128-130页 |
| ·铸造准单晶硅原生位错与辐照位错共存时的光致发光谱研究 | 第130-135页 |
| ·本章小结 | 第135-136页 |
| 第九章 总结 | 第136-139页 |
| 参考文献 | 第139-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 个人简历 | 第151-152页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第152-153页 |
