摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
主要符号表 | 第13-15页 |
第一章 绪论 | 第15-26页 |
·反熔丝器件及芯片的研究与应用 | 第15-16页 |
·国外研究现状 | 第16-22页 |
·ONO 反熔丝 | 第16-17页 |
·非晶硅反熔丝 | 第17-18页 |
·栅氧化层反熔丝 | 第18-19页 |
·反熔丝芯片 | 第19-21页 |
·反熔丝 PROM | 第19-20页 |
·反熔丝 FPGA | 第20-21页 |
·反熔丝器件及芯片的发展趋势 | 第21-22页 |
·国内研究现状 | 第22页 |
·论文的主要工作及创新 | 第22-24页 |
·论文的内容安排 | 第24-26页 |
第二章 基于 BZN 高 K 材料的新型反熔丝器件的制备 | 第26-39页 |
·BZN 反熔丝的基本结构 | 第26-28页 |
·BZN 反熔丝介质层的微图形化 | 第28-35页 |
·工艺气体流量比 | 第30-32页 |
·工艺气体总流量 | 第32-33页 |
·工作压强 | 第33-34页 |
·ICP 功率 | 第34页 |
·微图形表面形貌 | 第34-35页 |
·BZN 反熔丝上电极的制备 | 第35-37页 |
·本章小结 | 第37-39页 |
第三章 基于 BZN 高 K 材料的新型反熔丝器件的性能研究 | 第39-61页 |
·BZN 反熔丝的关态特性 | 第39-45页 |
·结晶态 BZN 反熔丝的关态特性 | 第40-42页 |
·非结晶态 BZN 反熔丝的关态特性 | 第42-44页 |
·BZN 反熔丝关态特性对比分析 | 第44-45页 |
·BZN 反熔丝的编程特性 | 第45-49页 |
·结晶态 BZN 反熔丝的编程特性 | 第45-48页 |
·非结晶态 BZN 反熔丝的编程特性 | 第48页 |
·BZN 反熔丝编程特性对比分析 | 第48-49页 |
·BZN 反熔丝的开态特性 | 第49-53页 |
·结晶态 BZN 反熔丝的开态特性 | 第50-52页 |
·非结晶态 BZN 反熔丝的开态特性 | 第52页 |
·BZN 反熔丝开态特性对比分析 | 第52-53页 |
·BZN 反熔丝的可靠性 | 第53-59页 |
·反熔丝面积对击穿电压及击穿后电阻的影响 | 第54-55页 |
·经时击穿(TDDB)特性 | 第55-57页 |
·开态 BZN 反熔丝的可靠性 | 第57-59页 |
·电流应力测试 | 第57-58页 |
·温度特性测试 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第四章 抗总剂量辐射双栅晶体管的结构设计与仿真 | 第61-77页 |
·NMOS 晶体管的总剂量效应及其改进措施 | 第61-66页 |
·总剂量效应 | 第61-65页 |
·改进措施 | 第65-66页 |
·抗总剂量辐射双栅晶体管的结构设计 | 第66-69页 |
·反熔丝 PROM 存储单元的基本结构 | 第66-68页 |
·双栅晶体管结构及其优化 | 第68-69页 |
·抗总剂量辐射双栅晶体管的性能仿真 | 第69-76页 |
·NMOS 高压晶体管的基本性能及抗总剂量性能仿真研究 | 第70-72页 |
·双栅晶体管的 MEDICI 软件仿真研究 | 第72-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
第五章 抗总剂量辐射双栅反熔丝 PROM 的电路设计与仿真 | 第77-92页 |
·改进型双栅晶体管 | 第77-83页 |
·双栅反熔丝 PROM 的电路设计 | 第83-88页 |
·存储单元 | 第84-85页 |
·译码器 | 第85页 |
·编程通路 | 第85-86页 |
·读出通路 | 第86-88页 |
·双栅反熔丝 PROM 的电路仿真 | 第88-89页 |
·对照组反熔丝 PROM 的电路设计与仿真 | 第89-90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
第六章 抗总剂量辐射双栅反熔丝 PROM 的版图设计、流片及测试 | 第92-101页 |
·版图设计与流片 | 第92-94页 |
·双栅反熔丝 PROM 的版图设计与流片 | 第92-93页 |
·对照组反熔丝 PROM 的版图设计与流片 | 第93-94页 |
·基本功能测试 | 第94-96页 |
·封装与测试板 | 第94-95页 |
·编程功能测试 | 第95-96页 |
·读取功能测试 | 第96页 |
·抗总剂量辐射性能测试 | 第96-100页 |
·测试环境与测试方法 | 第96-97页 |
·测试结果与分析 | 第97-100页 |
·本章小结 | 第100-101页 |
第七章 结论 | 第101-104页 |
致谢 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-115页 |
博士在学期间的研究成果 | 第115-117页 |