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新型反熔丝器件及抗总剂量辐射PROM的研究与实现

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
主要符号表第13-15页
第一章 绪论第15-26页
   ·反熔丝器件及芯片的研究与应用第15-16页
   ·国外研究现状第16-22页
     ·ONO 反熔丝第16-17页
     ·非晶硅反熔丝第17-18页
     ·栅氧化层反熔丝第18-19页
     ·反熔丝芯片第19-21页
       ·反熔丝 PROM第19-20页
       ·反熔丝 FPGA第20-21页
     ·反熔丝器件及芯片的发展趋势第21-22页
   ·国内研究现状第22页
   ·论文的主要工作及创新第22-24页
   ·论文的内容安排第24-26页
第二章 基于 BZN 高 K 材料的新型反熔丝器件的制备第26-39页
   ·BZN 反熔丝的基本结构第26-28页
   ·BZN 反熔丝介质层的微图形化第28-35页
     ·工艺气体流量比第30-32页
     ·工艺气体总流量第32-33页
     ·工作压强第33-34页
     ·ICP 功率第34页
     ·微图形表面形貌第34-35页
   ·BZN 反熔丝上电极的制备第35-37页
   ·本章小结第37-39页
第三章 基于 BZN 高 K 材料的新型反熔丝器件的性能研究第39-61页
   ·BZN 反熔丝的关态特性第39-45页
     ·结晶态 BZN 反熔丝的关态特性第40-42页
     ·非结晶态 BZN 反熔丝的关态特性第42-44页
     ·BZN 反熔丝关态特性对比分析第44-45页
   ·BZN 反熔丝的编程特性第45-49页
     ·结晶态 BZN 反熔丝的编程特性第45-48页
     ·非结晶态 BZN 反熔丝的编程特性第48页
     ·BZN 反熔丝编程特性对比分析第48-49页
   ·BZN 反熔丝的开态特性第49-53页
     ·结晶态 BZN 反熔丝的开态特性第50-52页
     ·非结晶态 BZN 反熔丝的开态特性第52页
     ·BZN 反熔丝开态特性对比分析第52-53页
   ·BZN 反熔丝的可靠性第53-59页
     ·反熔丝面积对击穿电压及击穿后电阻的影响第54-55页
     ·经时击穿(TDDB)特性第55-57页
     ·开态 BZN 反熔丝的可靠性第57-59页
       ·电流应力测试第57-58页
       ·温度特性测试第58-59页
   ·本章小结第59-61页
第四章 抗总剂量辐射双栅晶体管的结构设计与仿真第61-77页
   ·NMOS 晶体管的总剂量效应及其改进措施第61-66页
     ·总剂量效应第61-65页
     ·改进措施第65-66页
   ·抗总剂量辐射双栅晶体管的结构设计第66-69页
     ·反熔丝 PROM 存储单元的基本结构第66-68页
     ·双栅晶体管结构及其优化第68-69页
   ·抗总剂量辐射双栅晶体管的性能仿真第69-76页
     ·NMOS 高压晶体管的基本性能及抗总剂量性能仿真研究第70-72页
     ·双栅晶体管的 MEDICI 软件仿真研究第72-76页
   ·本章小结第76-77页
第五章 抗总剂量辐射双栅反熔丝 PROM 的电路设计与仿真第77-92页
   ·改进型双栅晶体管第77-83页
   ·双栅反熔丝 PROM 的电路设计第83-88页
     ·存储单元第84-85页
     ·译码器第85页
     ·编程通路第85-86页
     ·读出通路第86-88页
   ·双栅反熔丝 PROM 的电路仿真第88-89页
   ·对照组反熔丝 PROM 的电路设计与仿真第89-90页
   ·本章小结第90-92页
第六章 抗总剂量辐射双栅反熔丝 PROM 的版图设计、流片及测试第92-101页
   ·版图设计与流片第92-94页
     ·双栅反熔丝 PROM 的版图设计与流片第92-93页
     ·对照组反熔丝 PROM 的版图设计与流片第93-94页
   ·基本功能测试第94-96页
     ·封装与测试板第94-95页
     ·编程功能测试第95-96页
     ·读取功能测试第96页
   ·抗总剂量辐射性能测试第96-100页
     ·测试环境与测试方法第96-97页
     ·测试结果与分析第97-100页
   ·本章小结第100-101页
第七章 结论第101-104页
致谢第104-105页
参考文献第105-115页
博士在学期间的研究成果第115-117页

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