| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 缩略词表 | 第11-13页 |
| 目录 | 第13-18页 |
| 1 绪论 | 第18-26页 |
| ·课题背景及意义 | 第18-20页 |
| ·国内外发展状况 | 第20-22页 |
| ·本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| ·论文的组织结构 | 第23-26页 |
| 2 一种低压极低功耗设计技术——C类反相器技术 | 第26-62页 |
| ·低压低功耗设计技术 | 第26-40页 |
| ·亚阈值技术 | 第26-28页 |
| ·体偏置技术和体驱动技术 | 第28-30页 |
| ·自共源共栅(Self-Cascode)技术 | 第30页 |
| ·电平移位技术 | 第30-31页 |
| ·浮栅(Floating Gate)技术与准浮栅技术 | 第31-32页 |
| ·电流模式电路 | 第32页 |
| ·SOI技术 | 第32-33页 |
| ·动态源极跟随器(Dynamic Source Follower)技术 | 第33-35页 |
| ·基于比较器的设计方法 | 第35-37页 |
| ·基于时间的设计方法 | 第37-38页 |
| ·C类反相器技术 | 第38-40页 |
| ·C类反相器性能指标分析 | 第40-60页 |
| ·直流增益和增益带宽积 | 第40-42页 |
| ·电源电压和功耗 | 第42-43页 |
| ·输出摆幅 | 第43-44页 |
| ·输入失调 | 第44-45页 |
| ·电源抑制比 | 第45-46页 |
| ·共模抑制比 | 第46-47页 |
| ·噪声 | 第47-52页 |
| ·建立(settling)特性 | 第52-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 3 一种面向成品率增强的片上体偏置技术 | 第62-86页 |
| ·PVT变化成因分析 | 第62-63页 |
| ·考虑PVT变化影响的MOS管阈值电压的准确预测方法 | 第63-68页 |
| ·大尺寸MOS管阈值电压模型 | 第64页 |
| ·纳米工艺下MOS管阈值电压模型 | 第64-67页 |
| ·MOS管阈值电压建模总结 | 第67-68页 |
| ·片上体偏置技术的理论研究 | 第68-71页 |
| ·MOS管体偏置电压范围 | 第68-71页 |
| ·片上体偏置技术原理 | 第71页 |
| ·片上体偏置技术的实现电路 | 第71-79页 |
| ·简单型体偏置电路 | 第71-74页 |
| ·计数型体偏置电路 | 第74-78页 |
| ·移位型体偏置电路 | 第78-79页 |
| ·不同体偏置电路指标对比 | 第79页 |
| ·基于片上体偏置技术的C类反相器研究 | 第79-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 4 ∑Δ调制器非理想因素分析及系统仿真 | 第86-120页 |
| ·∑ΔADC简介 | 第86-98页 |
| ·主要性能指标 | 第86-87页 |
| ·静态特性 | 第87-89页 |
| ·动态特性 | 第89-91页 |
| ·∑△ADC原理 | 第91页 |
| ·过采样技术 | 第91-92页 |
| ·噪声整形技术 | 第92-94页 |
| ·∑△调制器结构 | 第94-98页 |
| ·EΔ调制器结构选择 | 第98-101页 |
| ·连续时间方式和离散时间方式 | 第98-99页 |
| ·∑△调制器具体实现结构 | 第99-101页 |
| ·ΣΔ调制器的非理想因素分析 | 第101-114页 |
| ·C类反相器有限直流增益 | 第102-105页 |
| ·C类反相器有限增益带宽积和摆率 | 第105-108页 |
| ·C类反相器有限输出摆幅 | 第108页 |
| ·开关热噪声 | 第108-110页 |
| ·C类反相器噪声 | 第110-111页 |
| ·时钟抖动 | 第111-112页 |
| ·电容失配 | 第112-113页 |
| ·非线性 | 第113-114页 |
| ·∑△调制器的系统仿真 | 第114-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 5 ΣΔ调制器电路设计及版图设计 | 第120-156页 |
| ·基于1.2V电源电压的设计 | 第122-142页 |
| ·开关设计 | 第122-127页 |
| ·增益自举型C类反相器设计 | 第127-133页 |
| ·基于C类反相器的伪差分结构开关电容积分器设计 | 第133-137页 |
| ·基准电压源的设计 | 第137-139页 |
| ·比较器与时钟电路的设计 | 第139-141页 |
| ·ΣA调制器仿真验证 | 第141-142页 |
| ·基于0.8V电源电压的设计 | 第142-149页 |
| ·基于简单型体偏置电路的版本 | 第142-146页 |
| ·基于移位型体偏置电路的版本 | 第146-149页 |
| ·版图设计 | 第149-155页 |
| ·三阱工艺的作用 | 第150页 |
| ·保护环的设计 | 第150-151页 |
| ·其它隔离与屏蔽措施 | 第151页 |
| ·匹配考虑 | 第151-152页 |
| ·阱邻近效应和和浅沟槽隔离应力效应 | 第152-154页 |
| ·版图总体布局 | 第154-155页 |
| ·本章小结 | 第155-156页 |
| 6 数字抽取滤波器设计 | 第156-168页 |
| ·抽取滤波器总体结构 | 第156-157页 |
| ·梳状滤波器的设计 | 第157-159页 |
| ·补偿滤波器的设计 | 第159-160页 |
| ·半带滤波器的设计 | 第160-166页 |
| ·数字抽取滤波器仿真验证 | 第166-167页 |
| ·本章小结 | 第167-168页 |
| 7 芯片测试 | 第168-182页 |
| ·基于0.8V电源电压的∑△调制器测试 | 第168-174页 |
| ·测试方案 | 第169-171页 |
| ·测试结果 | 第171-174页 |
| ·基于1.2V电源电压的ΣΔADC测试 | 第174-180页 |
| ·测试方案 | 第174-177页 |
| ·测试结果 | 第177-180页 |
| ·本章小结 | 第180-182页 |
| 8 总结与展望 | 第182-186页 |
| ·总结 | 第182-184页 |
| ·展望 | 第184-186页 |
| 参考文献 | 第186-194页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第194-195页 |
| 作者简历 | 第194页 |
| 参与项目 | 第194页 |
| 发表和录用的文章 | 第194-195页 |
| 授权和受理的专利 | 第195页 |
