| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·为什么需要高κ材料? | 第7-11页 |
| ·氧化层栅介质的漏电 | 第8-10页 |
| ·氧化层栅介质的击穿 | 第10页 |
| ·高κ材料替代 SiO24 | 第10-11页 |
| ·高κ材料的选择以及堆栈结构的优势 | 第11-14页 |
| ·高κ材料的选择 | 第11-13页 |
| ·堆栈结构的优势 | 第13-14页 |
| ·高κ技术的发展与现状 | 第14页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第14-17页 |
| 第二章 高κ材料以及叠栅结构的 ALD 制备 | 第17-25页 |
| ·高κ材料一般制备方法的介绍 | 第17-20页 |
| ·ALD 生长方法的简介与生长特点 | 第20-21页 |
| ·ALD 设备的介绍与 HfO2/SiO2叠栅结构生长方法 | 第21-24页 |
| ·ALD 设备、生长流程和参数作用的介绍 | 第21-23页 |
| ·叠栅结构以及其实现方法 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 ALD 的工艺参数对高κ薄膜的影响 | 第25-39页 |
| ·高κ薄膜物理以及电学表征仪器设备和测量方法的介绍 | 第25-28页 |
| ·椭偏仪 | 第25-26页 |
| ·汞探针与 C-V，I-V 测量仪 | 第26页 |
| ·拉曼光谱仪，XRD，XPS | 第26-27页 |
| ·薄膜材料κ值的计算方法 | 第27-28页 |
| ·生长速率和生长周期循环数之间的关系 | 第28-30页 |
| ·Pulse Time 与 Purge Time 对高κ薄膜生长的影响 | 第30-33页 |
| ·Pulse Time 对高κ薄膜生长的影响 | 第30-32页 |
| ·Purge Time 对高κ薄膜生长的影响 | 第32-33页 |
| ·生长温度对高κ薄膜生长的影响 | 第33-37页 |
| ·不同的生长温度对淀积 HfO2薄膜的影响 | 第33-35页 |
| ·不同的生长温度对淀积 Al2O3薄膜的影响 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 高κ叠栅结构的可靠性分析 | 第39-55页 |
| ·氧化层薄膜材料中缺陷的种类 | 第39-41页 |
| ·高κ叠栅结构的缺陷产生机理及对薄膜特性的影响 | 第41-46页 |
| ·界面陷阱电荷对高κ薄膜的电学特性造成的影响 | 第41-44页 |
| ·高κ材料的 C-V 曲线的漂移现象 | 第44-46页 |
| ·高κ薄膜叠栅结构的体缺陷的定量计算方法 | 第46-48页 |
| ·退火对高κ电介质薄膜的性质的影响 | 第48-50页 |
| ·高κ介质薄膜 MIS 结构中薄膜漏电机理的分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |
