| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·HEMT 器件低温特性相关研究 | 第9-10页 |
| ·基本理论与基本方法 | 第10-11页 |
| ·本论文的研究意义与工作 | 第11-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件研究基础 | 第13-23页 |
| ·材料缺陷及其影响 | 第13-14页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结极化理论 | 第14-17页 |
| ·极性与极化方向 | 第14-16页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结极化性质 | 第16-17页 |
| ·异质结 2DEG 基本理论 | 第17-20页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 2DEG 电学性质 | 第20-23页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件的制备 | 第23-35页 |
| ·SiC 衬底 AlGaN/GaN 异质结生长 | 第23-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件制造工艺 | 第24-30页 |
| ·刻蚀 | 第24-26页 |
| ·肖特基接触 | 第26-29页 |
| ·欧姆接触 | 第29-30页 |
| ·两种接触的温度特性 | 第30-32页 |
| ·肖特基接触的温度特性 | 第30-31页 |
| ·欧姆接触的温度特性 | 第31-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件物理 | 第32-35页 |
| ·沟道电子浓度与电压的关系 | 第32-33页 |
| ·电流与电压的关系 | 第33-35页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 异质结低温特性 | 第35-41页 |
| ·AlGaN/GaN 材料制备及 Hall Bar 制作 | 第35-36页 |
| ·2DEG 磁输运测试系统 | 第36-38页 |
| ·AlGaN/GaN 2DEG 磁输运特性 | 第38-41页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 器件低温特性研究 | 第41-53页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件制作、封装及初测 | 第41-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件低频噪声测试 | 第43-45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件低温特性 | 第45-49页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结低温下 2DEG 输运特性 | 第49-53页 |
| 第六章 总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 硕士期间研究成果 | 第61-62页 |
