高K介质栅纳米MOSFET特性及相关器件效应的研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·MOSFET器件发展历程 | 第9-14页 |
| ·MOSFET器件的按比例缩小 | 第14-20页 |
| ·恒定电场按比例缩小 | 第15-16页 |
| ·恒定电压按比例缩小 | 第16-17页 |
| ·无显著特征按比例缩小 | 第17-19页 |
| ·按比例缩小的趋势 | 第19-20页 |
| ·MOSFET器件面临的挑战 | 第20-22页 |
| ·器件尺寸缩小对工艺技术的挑战 | 第20-21页 |
| ·器件尺寸缩小的物理限制 | 第21-22页 |
| ·目前的解决方案及不足 | 第22页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 高K纳米MOSFET的边缘直接隧穿电流 | 第24-31页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·MOSFET的直接隧穿电流 | 第24-28页 |
| ·MOSFET的直接隧穿电流的计算模型 | 第24-26页 |
| ·MOSFET的直接隧穿电流特性 | 第26-28页 |
| ·MOSFET边缘直接隧穿电流的较小 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第三章 高K纳米MOSFET的边缘电场效应 | 第31-36页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·边缘电场的物理机制 | 第31-33页 |
| ·理论分析及模拟 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 高K纳米MOSFET关态泄漏电流的研究 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36-38页 |
| ·影响关态泄漏电流的主要电流机制 | 第38-41页 |
| ·目前减小关态泄漏电流的方法 | 第41-45页 |
| ·高介电常数栅介质及相应的对K值的要求 | 第41-44页 |
| ·纵向沟道工程减小泄漏电流 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 主要结论及展望 | 第46-55页 |
| ·主要结论 | 第46页 |
| ·应用于下一代MOSFET的高K栅介质材料 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·高介电栅材料的选择标准 | 第47-49页 |
| ·对HfO_2材料及掺杂技术的研究 | 第49-53页 |
| ·国内外研发现状和差距及展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
