光热退火制备多晶硅薄膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·研究太阳能电池的意义 | 第8-10页 |
| ·太阳能电池的发展及现状 | 第10-17页 |
| ·硅系太阳能电池 | 第11-14页 |
| ·化合物薄膜太阳能电池 | 第14-16页 |
| ·有机半导体薄膜太阳电池 | 第16页 |
| ·纳米晶化学太阳能电池 | 第16-17页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的研究现状 | 第17-20页 |
| ·低温工艺 | 第17-18页 |
| ·中温工艺 | 第18-19页 |
| ·高温工艺 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第二章 硅薄膜的再结晶技术 | 第21-34页 |
| ·固相晶化技术(SPC) | 第21-29页 |
| ·固相晶化的热力学理论 | 第21-27页 |
| ·固相晶化技术分类 | 第27-29页 |
| ·区域熔化再结晶(ZMR) | 第29-32页 |
| ·开题思想 | 第32-34页 |
| 第三章 快速光热退火(RPTA)制备多晶硅薄膜 | 第34-45页 |
| ·快速光热退火设备 | 第34-35页 |
| ·设备工作原理简述 | 第34页 |
| ·设备的结构 | 第34-35页 |
| ·快速光热退火机理分析 | 第35-36页 |
| ·退火条件对a-Si:H薄膜晶化的影响 | 第36-42页 |
| ·升温速率的影响 | 第37-40页 |
| ·降温速率的影响 | 第40-42页 |
| ·沉积条件对a-Si:H薄膜晶化的影响 | 第42-44页 |
| ·沉积温度对晶化的影响 | 第42-43页 |
| ·磷掺杂的影响 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 低温光热退火制备多晶硅薄膜的研究 | 第45-57页 |
| ·低温下光热退火的研究 | 第45-47页 |
| ·快速光热退火实验装置的改进 | 第47页 |
| ·实验过程及结果 | 第47-54页 |
| ·改进的光热退火方式与原系统退火的效果比对 | 第47-49页 |
| ·光热退火时间与晶化温度的关系 | 第49-50页 |
| ·不同光照下的光热退火情况比较 | 第50-53页 |
| ·光热退火晶化对材料光学带隙的影响 | 第53-54页 |
| ·对实验结果的分析 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 发表论文 | 第67页 |
