IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·微电子技术的发展趋势及其对光刻技术的需求 | 第9-10页 |
| ·光刻曝光系统的发展和主要性能指标 | 第10-11页 |
| ·当前主流曝光技术和发展 | 第11-17页 |
| ·偏轴照明 | 第13页 |
| ·光学邻近效应校正 | 第13-14页 |
| ·移相掩膜技术 | 第14-15页 |
| ·硅片表面的平整化技术 | 第15页 |
| ·光刻胶修剪技术 | 第15-16页 |
| ·新型光刻胶技术 | 第16-17页 |
| ·对准在光刻中的重要性 | 第17-18页 |
| 第二章 光刻对准原理 | 第18-29页 |
| ·光刻对准概述 | 第18页 |
| ·对准标记 | 第18页 |
| ·对准类型 | 第18-25页 |
| ·暗场对准 | 第19-21页 |
| ·逐场对准 | 第21-23页 |
| ·整场对准 | 第23-25页 |
| ·不同曝光方式在对准及曝光效果方面的差异 | 第25-26页 |
| ·光刻套准效果的监控及度量 | 第26页 |
| ·影响光刻套准效果的因素 | 第26-29页 |
| 第三章 工艺层与光刻套准关系分析 | 第29-43页 |
| ·芯片制造中各工艺层的形成 | 第29页 |
| ·工艺层与光刻对准的关系 | 第29-33页 |
| ·实验设计 | 第33-34页 |
| ·实验数据 | 第34页 |
| ·实验结果分析 | 第34-38页 |
| ·提高在不同工艺层下的对准精度的方法 | 第38-43页 |
| 第四章 对准标记的改进 | 第43-56页 |
| ·对准标记对光刻套准的影响 | 第43-45页 |
| ·硅的定向腐蚀 | 第45-48页 |
| ·实验方案设计 | 第48-49页 |
| ·实验现象记录 | 第49页 |
| ·实验过程分析 | 第49-51页 |
| ·实验中遇到的主要问题以及部分解决办法 | 第51-52页 |
| ·实验结论 | 第52-53页 |
| ·其它类型对准标记的改进 | 第53-56页 |
| 第五章 离子注入与光刻套准的关系确定 | 第56-59页 |
| ·离子注入对对准标记的影响 | 第56-57页 |
| ·实验设计 | 第57-58页 |
| ·实验现象以及结果分析 | 第58-59页 |
| 第六章 隔离工艺中的对准处理 | 第59-80页 |
| ·各种隔离方式的特点 | 第59-64页 |
| ·厚氧隔离 | 第60-61页 |
| ·局部氧化工艺隔离(LOCOS) | 第61-62页 |
| ·多晶硅缓冲局部氧化隔离(PB-LOCOS) | 第62-63页 |
| ·侧壁掩蔽隔离(SWAMI) | 第63页 |
| ·浅槽隔离(STI) | 第63-64页 |
| ·隔离工艺对光刻套准的影响起因 | 第64-66页 |
| ·实验方案设计 | 第66-67页 |
| ·实验数据 | 第67-69页 |
| ·实验数据及结果分析 | 第69-74页 |
| ·实验结论 | 第74-75页 |
| ·实验中遇到的主要问题以及部分解决办法 | 第75-78页 |
| ·实验误差分析 | 第78-80页 |
| 第七章 混合匹配光刻的套准技术研究 | 第80-86页 |
| ·混合匹配光刻的必要性 | 第80-81页 |
| ·混合匹配光刻中对准的技术难点 | 第81页 |
| ·匹配光刻实验方案设计 | 第81-83页 |
| ·实验数据处理 | 第83-84页 |
| ·实验结果分析 | 第84-86页 |
| 第八章 光刻套准误差分析 | 第86-93页 |
| ·造成误差的工艺因素 | 第86页 |
| ·造成误差的非工艺因素 | 第86-87页 |
| ·套准误差模型的建立 | 第87-91页 |
| ·Intrafield 模型 | 第87-90页 |
| ·Interfield 模型 | 第90-91页 |
| ·减小套刻误差产生的办法 | 第91-93页 |
| 第九章 未来光刻技术中的对准模式 | 第93-97页 |
| ·X 射线曝光及其对准方式 | 第93-94页 |
| ·电子束曝光及其对准方式 | 第94-95页 |
| ·离子束曝光及其对准方式 | 第95-96页 |
| ·双面曝光及其对准方式 | 第96-97页 |
| 第十章 结论 | 第97-99页 |
| 附录 | 第99-108页 |
| 附录一 IC 制造工艺与光刻对准关系结构图 | 第99-100页 |
| 附录二 非工艺因素与光刻对准关系结构图 | 第100-101页 |
| 附录三 不同底材的对准特性实验申请单 | 第101-102页 |
| 附录四 V 形槽对准标记实验单 | 第102-103页 |
| 附录五 不同对准台阶对光刻套准影响实验申请单 | 第103-104页 |
| 附录六 SWAMI 与光刻套准关系实验流程单 | 第104-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简介以及研究项目 | 第111-112页 |
