超大规模集成电路二氧化硅介质化学机械抛光研究
| 第一章 概述 | 第1-14页 |
| 1．1 选题的意义 | 第6-9页 |
| 1．2 二氧化硅介质抛光的现状和发展趋势 | 第9-12页 |
| 1．2．1 CMP技术 | 第10页 |
| 1．2．2 CMP的现状和发展趋势 | 第10-12页 |
| 1．3 本论文选题的理论依据和完成的工作 | 第12-14页 |
| 第二章 CMP机理分析及实验方案 | 第14-30页 |
| 2．1 ILD CMP过程分析 | 第14-23页 |
| 2．1．1 Preston方程 | 第14页 |
| 2．1．2 二氧化硅CMP机理 | 第14-19页 |
| 2．1．3 CMP影响因素的分析 | 第19-23页 |
| 2．2 实验方案 | 第23-24页 |
| 2．3 实验设备和实验材料 | 第24-30页 |
| 2．3．1 实验设备 | 第24-27页 |
| 2．3．2 实验材料 | 第27-30页 |
| 第三章 抛光液配方研究 | 第30-37页 |
| 3．1 pH值调节剂的选择 | 第30-33页 |
| 3．2 抛光液沉淀问题的解决 | 第33-36页 |
| 3．2．1 pH值对沉淀的影响 | 第33-34页 |
| 3．2．2 抛光液的配方对沉淀的影响 | 第34-36页 |
| 3．3 pH值及固含量对抛光速率的影响 | 第36-37页 |
| 第四章 活性剂的研究 | 第37-44页 |
| 4．1 活性剂的作用 | 第37-38页 |
| 4．2 优先吸附模型 | 第38-39页 |
| 4．3 活性剂的选择 | 第39-41页 |
| 4．4活性剂的应用研究 | 第41-44页 |
| 第五章 抛光布的研究 | 第44-48页 |
| 5．1 抛光布的材料和性质 | 第44-45页 |
| 5．1．1 抛光布的材料 | 第44页 |
| 5．1．2 抛光布的性质 | 第44-45页 |
| 5．2 抛光布的作用 | 第45-47页 |
| 5．2．1 质量传输 | 第45-46页 |
| 5．2．2 去除反应产物 | 第46-47页 |
| 5．3 抛光布的修整 | 第47-48页 |
| 第六章 工艺参数对抛光的影响 | 第48-53页 |
| 6．1 抛光温度对CMP的影响 | 第48-50页 |
| 6．1．1 温度对CMP的影响 | 第48-49页 |
| 6．1．2 温度的选择实验 | 第49-50页 |
| 6．2 压力的影响 | 第50页 |
| 6．3 抛光液流量影响 | 第50-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
