低损耗混合信号集成电路衬底研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·研究背景和目的 | 第10-12页 |
| ·研究方法与工具 | 第12-16页 |
| ·论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 混合信号集成电路的衬底材料 | 第18-29页 |
| ·混合信号集成电路衬底材料现状 | 第18-21页 |
| ·混合信号集成电路衬底问题 | 第18-20页 |
| ·新型衬底材料 | 第20-21页 |
| ·新型衬底材料的温度特性 | 第21-23页 |
| ·SOI衬底的温度特性 | 第21页 |
| ·多孔硅SOI衬底的温度特性 | 第21-23页 |
| ·新型衬底材料的电磁场分布特性 | 第23-26页 |
| ·传输过程中的电磁场分布 | 第23-24页 |
| ·不同衬底材料电磁场的分布 | 第24-25页 |
| ·衬底旋涂有机层改变缝隙电磁场 | 第25-26页 |
| ·晶片迁移技术和有机衬底 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 混合信号集成电路中基本无源元件衬底研究 | 第29-37页 |
| ·混合信号集成电路基本无源元件 | 第29-30页 |
| ·有限元方法分析准静态传输线模型 | 第30-32页 |
| ·不同衬底的集成电感性能比较 | 第32-34页 |
| ·电感衬底寄生参数 | 第33页 |
| ·新型衬底对于集成电感性能的影响 | 第33-34页 |
| ·RF MEMS移相器的损耗和相移 | 第34-36页 |
| ·衬底对移相器性能影响 | 第35-36页 |
| ·衬底寄生效应对相移和品质因数的影响 | 第36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 集总元件的衬底分析 | 第37-47页 |
| ·集总元件衬底耦合效应 | 第37-39页 |
| ·带通滤波器模型及其工作原理 | 第39-42页 |
| ·带通耦合滤波器模型及优化 | 第39-40页 |
| ·优化模型的性能比较 | 第40-42页 |
| ·多孔硅衬底改变集总元件集成度 | 第42页 |
| ·衬底材料对于混合信号系统隔离度的影响 | 第42-44页 |
| ·隔离模型 | 第42-43页 |
| ·隔离度分析 | 第43-44页 |
| ·定向耦合器模型及衬底效应 | 第44-46页 |
| ·定向耦合器模型 | 第44-45页 |
| ·定向耦和器的衬底效应 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第五章 混合信号集成电路系统的衬底分析 | 第47-54页 |
| ·系统衬底噪声的产生和隔离 | 第47-48页 |
| ·混合信号集成电路系统的建立 | 第48-49页 |
| ·衬底效应对系统性能的影响 | 第49-53页 |
| ·衬底噪声的产生 | 第49-51页 |
| ·衬底材料对噪声信号和对系统性能的影响 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读学位期间发表学术论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
