摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-13页 |
第一章 绪论 | 第13-36页 |
·课题背景 | 第13-16页 |
·电子自旋的注入 | 第16-19页 |
·光学注入——光学取向 | 第16-18页 |
·电学注入 | 第18-19页 |
·外场激发自旋极化 | 第19页 |
·自旋霍尔效应 | 第19页 |
·自旋相互作用 | 第19-21页 |
·交换相互作用 | 第20页 |
·自旋-轨道相互作用 | 第20-21页 |
·与原子核的超精细相互作用 | 第21页 |
·国内外研究进展 | 第21-26页 |
·本论文安排 | 第26页 |
·参考文献 | 第26-36页 |
第二章 实验技术 | 第36-48页 |
·引言 | 第36-37页 |
·实验仪器 | 第37-38页 |
·实验技术 | 第38-45页 |
·时间分辨光致荧光光谱技术 | 第39-40页 |
·圆偏振光抽运探测透射/反射光谱技术 | 第40-43页 |
·时间分辨法拉第/克尔旋光技术 | 第43-45页 |
·小结 | 第45页 |
·参考文献 | 第45-48页 |
第三章 CdTe 单晶中电子自旋动力学研究 | 第48-64页 |
·引言 | 第48-49页 |
·常温下CdTe 载流子的超快动力学研究 | 第49-53页 |
·CdTe 单晶中载流子超快过程的抽运光子能量演化 | 第50-52页 |
·CdTe 单晶中载流子超快过程的抽运功率演化 | 第52-53页 |
·常温下CdTe 单晶中电子自旋弛豫研究 | 第53-59页 |
·电子自旋弛豫时间与激发能量的依赖关系 | 第55-56页 |
·电子自旋弛豫时间与载流子浓度的依赖关系 | 第56-57页 |
·电子自旋弛豫机制 | 第57-59页 |
·低温下CdTe 单晶中电子自旋弛豫研究 | 第59-61页 |
·小结 | 第61页 |
·参考文献 | 第61-64页 |
第四章 InP单晶中电子自旋动力学研究 | 第64-82页 |
·引言 | 第64-65页 |
·InP单晶中载流子动力学的研究 | 第65-66页 |
·InP单晶中自旋弛豫动力学的研究 | 第66-72页 |
·常温下电子自旋动力学过程的研究 | 第67-70页 |
·低温下(70K)自旋弛豫动力学的研究 | 第70-72页 |
·自旋相关的抽运探测反射谱的理论研究 | 第72-80页 |
·小结 | 第80页 |
·参考文献 | 第80-82页 |
第五章 本征半导体中电子自旋弛豫机制 | 第82-95页 |
·引言 | 第82页 |
·自旋弛豫机制 | 第82-86页 |
·D’yakonov-Perel’(DP)机制 | 第84-85页 |
·Elliott-Yafet (EY)机制 | 第85-86页 |
·Bir-Aronov-Pikus(BAP)机制 | 第86页 |
·本征体材料中电子自旋弛豫机制 | 第86-92页 |
·小结 | 第92页 |
·参考文献 | 第92-95页 |
第六章 CdSe量子点的激子自旋动力学研究 | 第95-109页 |
·引言 | 第95-96页 |
·溶剂效应 | 第96-97页 |
·CdSe核量子点的激子自旋弛豫研究 | 第97-101页 |
·样品描述 | 第97-98页 |
·CdSe核量子点的激子自旋弛豫研究 | 第98-101页 |
·CdSe/ZnS 核/壳结构量子点的激子自旋弛豫研究 | 第101-105页 |
·样品描述 | 第101-102页 |
·CdSe/ZnS 核/壳结构量子点的激子自旋弛豫研究 | 第102-105页 |
·小结 | 第105-106页 |
·参考文献 | 第106-109页 |
第七章 CdTe 量子点的磁光效应研究 | 第109-120页 |
·引言 | 第109-110页 |
·溶剂效应 | 第110-111页 |
·CdTe 量子点的磁光效应 | 第111-117页 |
·样品介绍 | 第111页 |
·CdTe 量子点的磁光效应 | 第111-117页 |
·小结 | 第117-118页 |
·参考文献 | 第118-120页 |
第八章 结论和展望 | 第120-123页 |
·总结 | 第120-121页 |
·展望 | 第121-123页 |
作者在攻读硕博士学位期间公开发表的论文 | 第123-125页 |
作者在攻读硕博士学位期间参加的会议 | 第125-126页 |
作者在攻读硕博士学位期间参与和主持的项目 | 第126-127页 |
致谢 | 第127页 |