首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--结构、器件论文

半导体及纳米结构的自旋动力学研究

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
第一章 绪论第13-36页
   ·课题背景第13-16页
   ·电子自旋的注入第16-19页
     ·光学注入——光学取向第16-18页
     ·电学注入第18-19页
     ·外场激发自旋极化第19页
     ·自旋霍尔效应第19页
   ·自旋相互作用第19-21页
     ·交换相互作用第20页
     ·自旋-轨道相互作用第20-21页
     ·与原子核的超精细相互作用第21页
   ·国内外研究进展第21-26页
   ·本论文安排第26页
   ·参考文献第26-36页
第二章 实验技术第36-48页
   ·引言第36-37页
   ·实验仪器第37-38页
   ·实验技术第38-45页
     ·时间分辨光致荧光光谱技术第39-40页
     ·圆偏振光抽运探测透射/反射光谱技术第40-43页
     ·时间分辨法拉第/克尔旋光技术第43-45页
   ·小结第45页
   ·参考文献第45-48页
第三章 CdTe 单晶中电子自旋动力学研究第48-64页
   ·引言第48-49页
   ·常温下CdTe 载流子的超快动力学研究第49-53页
     ·CdTe 单晶中载流子超快过程的抽运光子能量演化第50-52页
     ·CdTe 单晶中载流子超快过程的抽运功率演化第52-53页
   ·常温下CdTe 单晶中电子自旋弛豫研究第53-59页
     ·电子自旋弛豫时间与激发能量的依赖关系第55-56页
     ·电子自旋弛豫时间与载流子浓度的依赖关系第56-57页
     ·电子自旋弛豫机制第57-59页
   ·低温下CdTe 单晶中电子自旋弛豫研究第59-61页
   ·小结第61页
   ·参考文献第61-64页
第四章 InP单晶中电子自旋动力学研究第64-82页
   ·引言第64-65页
   ·InP单晶中载流子动力学的研究第65-66页
   ·InP单晶中自旋弛豫动力学的研究第66-72页
     ·常温下电子自旋动力学过程的研究第67-70页
     ·低温下(70K)自旋弛豫动力学的研究第70-72页
   ·自旋相关的抽运探测反射谱的理论研究第72-80页
   ·小结第80页
   ·参考文献第80-82页
第五章 本征半导体中电子自旋弛豫机制第82-95页
   ·引言第82页
   ·自旋弛豫机制第82-86页
     ·D’yakonov-Perel’(DP)机制第84-85页
     ·Elliott-Yafet (EY)机制第85-86页
     ·Bir-Aronov-Pikus(BAP)机制第86页
   ·本征体材料中电子自旋弛豫机制第86-92页
   ·小结第92页
   ·参考文献第92-95页
第六章 CdSe量子点的激子自旋动力学研究第95-109页
   ·引言第95-96页
   ·溶剂效应第96-97页
   ·CdSe核量子点的激子自旋弛豫研究第97-101页
     ·样品描述第97-98页
     ·CdSe核量子点的激子自旋弛豫研究第98-101页
   ·CdSe/ZnS 核/壳结构量子点的激子自旋弛豫研究第101-105页
     ·样品描述第101-102页
     ·CdSe/ZnS 核/壳结构量子点的激子自旋弛豫研究第102-105页
   ·小结第105-106页
   ·参考文献第106-109页
第七章 CdTe 量子点的磁光效应研究第109-120页
   ·引言第109-110页
   ·溶剂效应第110-111页
   ·CdTe 量子点的磁光效应第111-117页
     ·样品介绍第111页
     ·CdTe 量子点的磁光效应第111-117页
   ·小结第117-118页
   ·参考文献第118-120页
第八章 结论和展望第120-123页
   ·总结第120-121页
   ·展望第121-123页
作者在攻读硕博士学位期间公开发表的论文第123-125页
作者在攻读硕博士学位期间参加的会议第125-126页
作者在攻读硕博士学位期间参与和主持的项目第126-127页
致谢第127页

论文共127页,点击 下载论文
上一篇:氧化物TFT及其驱动的AM-OLED矩阵屏的研究
下一篇:基于生物免疫的动态风险识别模型研究与应用