| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-48页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·TFT 技术领域发展现状 | 第17-29页 |
| ·硅基TFT | 第17-19页 |
| ·有机半导体TFT | 第19页 |
| ·氧化物半导体TFT 的研究进展 | 第19-28页 |
| ·氧化物TFT 存在的问题 | 第28-29页 |
| ·场效应晶体管的结构及工作原理 | 第29-32页 |
| ·场效应晶体管的结构 | 第29页 |
| ·场效应晶体管的工作机理 | 第29-32页 |
| ·场效应晶体管的性能表征 | 第32-35页 |
| ·载流子迁移率 | 第32-33页 |
| ·开关电流比 | 第33-34页 |
| ·阈值电压 | 第34-35页 |
| ·亚阈值摆幅 | 第35页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-48页 |
| 第二章 基于高介电常数Ta_20_5绝缘层的低压ZnO-TFT 的制备及研究 | 第48-64页 |
| ·氧化钽绝缘层厚度对于器件性能的影响 | 第49-54页 |
| ·器件的制备过程 | 第49-50页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第50-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·氧化硅薄膜修饰对于ZnO‐TFT 器件性能影响的研究 | 第54-61页 |
| ·器件的制备 | 第55-56页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第56-61页 |
| ·本节小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第三章 基于磁控溅射Si0_2绝缘层的ZnO-TFT 性能及其稳定性的研究 | 第64-92页 |
| ·Si0_2 绝缘层厚度对ZnO‐TFT 性能的影响 | 第65-72页 |
| ·器件的制备 | 第65-66页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第66-71页 |
| ·本节小结 | 第71-72页 |
| ·Si0_2 绝缘层制备的氧分压对于ZnO‐TFT 器件性能影响的研究 | 第72-79页 |
| ·器件的制备 | 第72-73页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第73-79页 |
| ·本节小结 | 第79页 |
| ·通过衬底加热提高ZnO‐TFT 的偏压稳定性 | 第79-84页 |
| ·器件的制备 | 第79-80页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第80-84页 |
| ·本节小结 | 第84页 |
| ·基于Si0_2 绝缘层的低压ZnO‐TFT 及其用于OLED 驱动的初步研究 | 第84-89页 |
| ·器件的制备 | 第85-86页 |
| ·器件的测量结果和讨论 | 第86-88页 |
| ·本节小结 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第四章 底栅及顶栅IGZO-TFT 的制备及研究 | 第92-104页 |
| ·IGZO‐TFT 性能及稳定性的研究 | 第92-96页 |
| ·器件的制备 | 第92-93页 |
| ·实验的测量结果和讨论 | 第93-96页 |
| ·本节小结 | 第96页 |
| ·顶栅IGZO‐TFT 的制备及研究 | 第96-101页 |
| ·器件的制备过程 | 第96-98页 |
| ·实验的测量结果和讨论 | 第98-101页 |
| ·本节小结 | 第101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第5章 基于IGZO-TFT 的AM-OLED 矩阵屏的研究 | 第104-127页 |
| ·基于IGZO‐TFT 的 AM‐OLED 的基础研究 | 第105-111页 |
| ·IGZO‐TFT 阵列源、漏电极材料的选择 | 第105-107页 |
| ·氧化硅绝缘层气体比例对于器件性能的影响 | 第107-111页 |
| ·基于IGZO‐TFT 的AM‐OLED 矩阵屏的制备 | 第111-121页 |
| ·像素驱动单元的设计 | 第112页 |
| ·AM‐OLED 矩阵屏工艺流程的确定 | 第112-113页 |
| ·基于IGZO‐TFT 阵列的AM‐OLED 矩阵屏的制备 | 第113-121页 |
| ·AM‐OLED 矩阵屏的测试结果及分析 | 第121-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第六章 结论与展望 | 第127-132页 |
| ·结论 | 第127-130页 |
| ·展望 | 第130-132页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第132-134页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
