| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-19页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·互补双极工艺的概述 | 第8-16页 |
| ·互补双极工艺的发展趋势 | 第14-15页 |
| ·互补双极工艺的产业应用 | 第15-16页 |
| ·SOI 技术简介 | 第16-18页 |
| ·本论文的基本框架 | 第18-19页 |
| 2 互补双极工艺的器件原理 | 第19-31页 |
| ·互补的性能接近的NPN 管和PNP 管的优势 | 第19页 |
| ·高性能的VPNP 晶体管的器件原理 | 第19-28页 |
| ·特征频率f_T | 第20-24页 |
| ·共发射极电流放大系数 | 第24-26页 |
| ·厄利电压 | 第26-27页 |
| ·击穿电压 | 第27-28页 |
| ·设计高能性能CB 晶体管遇到的主要问题 | 第28-29页 |
| ·提高集电极的掺杂浓度与提高V_(CBO) 的矛盾 | 第28页 |
| ·提高自建电场与提高扩散系数的矛盾 | 第28-29页 |
| ·提高电流增益与降低发射极电阻的矛盾 | 第29页 |
| ·SOI 全介质隔离引入的问题 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 器件结构及工艺流程的设计 | 第31-40页 |
| ·器件结构设计 | 第31-34页 |
| ·工艺流程设计 | 第34-36页 |
| ·关键工艺 | 第36-39页 |
| ·双层多晶硅自对准技术 | 第36-37页 |
| ·选择性集电极注入 | 第37-38页 |
| ·减压薄外延 | 第38页 |
| ·基区工艺条件 | 第38-39页 |
| ·快速热退火 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 器件结构及工艺流程的仿真和测试结果 | 第40-57页 |
| ·仿真结果 | 第40-53页 |
| ·工艺流程仿真 | 第40-47页 |
| ·器件电学参数仿真 | 第47-53页 |
| ·仿真结果讨论 | 第53页 |
| ·版图设计 | 第53-55页 |
| ·测试结果与分析 | 第55-56页 |
| ·特征频率实测结果 | 第55-56页 |
| ·电参数实测结果 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 5 总结与展望 | 第57-58页 |
| ·总结 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 附录 | 第62页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |