OTP存储器设计研究

致谢	第1-6页
摘要	第6-7页
Abstract	第7-9页
目录	第9-11页
第一章 绪论	第11-18页
·研究的意义	第11-13页
·OTP存储器介绍	第13-14页
·OTP存储器的发展	第14-17页
·论文结构	第17-18页
第二章 基于栅氧击穿的OTP存储器单元设计	第18-35页
·经时击穿(TDDB)模型	第19-26页
·空穴击穿模型	第20-23页
·热化学击穿模型	第23-25页
·统一击穿模型	第25-26页
·OTP单元设计	第26-34页
·V_(drain)对t_(BD)的影响	第28-29页
·V_(drain)对R_(BD)的影响	第29-32页
·编程单元结构	第32-34页
·小结	第34-35页
第三章 基于浮栅的OTP存储器单元设计	第35-50页
·浮栅存储器工作原理	第35-41页
·沟道热电子注入	第35-37页
·FN电子隧穿	第37-39页
·浮栅对阈值电压的影响	第39-41页
·存储单元设计	第41-49页
·小结	第49-50页
第四章 整体结构设计	第50-57页
·存储单元阵列设计	第51-54页
·读取电路设计	第54-56页
·小结	第56-57页
第五章 总结与展望	第57-59页
参考文献	第59-63页
作者简介	第63页
作者攻读硕士学位期间发表的论文	第63页