| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 碳化硅MOSFET相关概念 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第2章 碳化硅MOSFET静态参数测量方法 | 第16-28页 |
| 2.1 实验平台搭建及测试方法 | 第16-18页 |
| 2.2 主要静态特性参数测量方法 | 第18-23页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第19页 |
| 2.2.2 漏源饱和电压 | 第19-20页 |
| 2.2.3 漏源截止电流 | 第20页 |
| 2.2.4 Agilent设备测试电路 | 第20-21页 |
| 2.2.5 栅源短路时漏源极电压 | 第21-22页 |
| 2.2.6 漏源短路时栅漏极电压 | 第22-23页 |
| 2.3 影响测试结果因素分析 | 第23-27页 |
| 2.3.1 引线电阻的消除 | 第23-25页 |
| 2.3.2 测量脉冲宽度对测试结果的影响 | 第25-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第3章 碳化硅MOSFET电容参数测试 | 第28-36页 |
| 3.1 主要电容参数以及测试方法 | 第28-31页 |
| 3.1.1 极间电容 | 第28-29页 |
| 3.1.2 输入电容 | 第29-30页 |
| 3.1.3 输出电容 | 第30页 |
| 3.1.4 反向传输电容 | 第30-31页 |
| 3.2 Agilent B1505A测试结果 | 第31-34页 |
| 3.3 使用阻抗分析仪测试电容结果对比 | 第34-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 碳化硅MOSFET在不同温度下静态参数测试 | 第36-46页 |
| 4.1 高温下碳化硅MOSFET静态参数测量结果 | 第36-41页 |
| 4.1.1 转移特性和输出特性 | 第36-39页 |
| 4.1.2 阈值电压 | 第39-40页 |
| 4.1.3 通态电阻 | 第40-41页 |
| 4.2 低温下碳化硅MOSFET静态参数测量结果 | 第41-44页 |
| 4.2.1 转移特性和输出特性 | 第41-43页 |
| 4.2.2 阈值电压 | 第43-44页 |
| 4.2.3 通态电阻 | 第44页 |
| 4.3 小结 | 第44-46页 |
| 第5章 结论与展望 | 第46-47页 |
| 附录 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间科研经历 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |