| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 封装发展的研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 封装的概述 | 第12-14页 |
| 1.2.2 硅通孔的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.2.3 电磁干扰的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及章节安排 | 第19-21页 |
| 第2章 硅通孔寄生参数介绍及电磁理论分析 | 第21-31页 |
| 2.1 封装寄生参数计算 | 第21-27页 |
| 2.1.1 封装中电阻计算 | 第21-22页 |
| 2.1.2 封装中电感计算 | 第22-26页 |
| 2.1.3 封装中电容计算 | 第26-27页 |
| 2.2 封装结构电路的电磁特性 | 第27-30页 |
| 2.2.1 封装结构电路的辐射特性 | 第27-28页 |
| 2.2.2 封装结构电路的电磁敏感特性 | 第28-29页 |
| 2.2.3 电磁干扰的危害 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 典型TSV物理建模分析 | 第31-45页 |
| 3.1 高频下TSV集肤效应 | 第31-33页 |
| 3.2 单根TSV物理模型的建立 | 第33-38页 |
| 3.2.1 典型TSV封装三维物理模型的方法 | 第33-34页 |
| 3.2.2 典型TSV封装三维物理模型 | 第34-38页 |
| 3.3 双根TSV物理模型的建立 | 第38-42页 |
| 3.3.1 邻近效应 | 第38-39页 |
| 3.3.2 双根TSV模型的建立 | 第39-42页 |
| 3.4 等效电路的验证 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 电磁干扰对具有TSV封装结构电路的影响 | 第45-54页 |
| 4.1 外界电磁干扰等效源模型建立 | 第45-48页 |
| 4.2 硅通孔的电磁响应分析 | 第48-50页 |
| 4.3 具有TSV封装结构的CMOS传输门电磁敏感性分析 | 第50-53页 |
| 4.3.1 电磁干扰下CMOS传输门电磁响应 | 第50-52页 |
| 4.3.2 电磁干扰下具有硅通孔封装形式CMOS传输门电磁响应 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第54-55页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |