SRAM单粒子加固设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.4 论文结构 | 第18-19页 |
| 第二章 抗辐照SRAM加固理论研究 | 第19-29页 |
| 2.1 辐射效应原理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 辐射效应介绍 | 第19-21页 |
| 2.1.2 SRAM存储单元翻转机理 | 第21-22页 |
| 2.2 现有加固方法及效果 | 第22-28页 |
| 2.2.1 6 管SRAM工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 SRAM加固方法总结 | 第23-28页 |
| 2.3 加固发展趋势 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 新型SRAM存储单元加固设计与仿真 | 第29-46页 |
| 3.1 加固设计思路 | 第29-31页 |
| 3.2 加固存储单元电路结构设计 | 第31-42页 |
| 3.2.1 加固存储单元基本结构 | 第31-34页 |
| 3.2.2 存储单元电路参数计算 | 第34-39页 |
| 3.2.3 加固SRAM单元仿真 | 第39-42页 |
| 3.3 延时单元结构设计 | 第42-44页 |
| 3.3.1 延时电路基本结构 | 第42页 |
| 3.3.2 延时电路参数计算与仿真 | 第42-44页 |
| 3.4 译码器的加固设计 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SRAM外围电路设计与仿真 | 第46-62页 |
| 4.1 SRAM时序设计 | 第46-48页 |
| 4.2 SRAM整体架构设计 | 第48-52页 |
| 4.2.1 存储阵列分级结构 | 第48-51页 |
| 4.2.2 SRAM外围电路布局 | 第51-52页 |
| 4.3 SRAM外围电路设计 | 第52-61页 |
| 4.3.1 行译码器结构 | 第52-54页 |
| 4.3.2 列译码器结构 | 第54页 |
| 4.3.3 预充电敏感放大电路设计 | 第54-59页 |
| 4.3.4 时钟控制电路设计 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 抗单粒子效应SRAM版图设计与验证 | 第62-87页 |
| 5.1 全定制版图的设计流程 | 第62-64页 |
| 5.2 SRAM各个模块的版图设计 | 第64-69页 |
| 5.2.1 存储阵列版图设计 | 第64-67页 |
| 5.2.2 写延时电路版图设计 | 第67页 |
| 5.2.3 译码电路版图设计 | 第67-68页 |
| 5.2.4 预充电放大电路版图设计 | 第68页 |
| 5.2.5 时序控制电路版图设计 | 第68-69页 |
| 5.3 SRAM整体版图以及仿真 | 第69-71页 |
| 5.4 SRAM功能及抗单粒子效应验证 | 第71-85页 |
| 5.4.1 SRAM读写数据验证 | 第71-75页 |
| 5.4.2 SRAM抗单粒子效用验证 | 第75-85页 |
| 5.5 SRAM功耗测试 | 第85-86页 |
| 5.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第93-94页 |
