| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 发展动态 | 第11-18页 |
| 1.2.1 国外发展现状及趋势 | 第11-17页 |
| 1.2.2 国内发展现状及趋势 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 InP HEMT器件特性及工艺 | 第19-27页 |
| 2.1 InP HEMT器件的基本特性 | 第19-22页 |
| 2.1.1 InP HEMT器件的特点 | 第19-20页 |
| 2.1.2 InP HEMT器件的基本结构 | 第20-22页 |
| 2.2 InP HEMT工艺 | 第22-26页 |
| 2.2.1 空气桥 | 第22-23页 |
| 2.2.2 电阻 | 第23-24页 |
| 2.2.3 电容 | 第24页 |
| 2.2.4 电感 | 第24-25页 |
| 2.2.5 通孔 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 在片测试技术 | 第27-44页 |
| 3.1 二端口校准技术 | 第27-38页 |
| 3.1.1 VNA误差模型 | 第28-29页 |
| 3.1.2 SOLT校准 | 第29-33页 |
| 3.1.2.1 十二项误差模型SOLT校准技术 | 第29-32页 |
| 3.1.2.2 八项误差模型SOLT校准技术 | 第32-33页 |
| 3.1.3 TRL校准 | 第33-36页 |
| 3.1.3.1 直通标准件（Through） | 第33-34页 |
| 3.1.3.2 反射标准件（Reflect） | 第34页 |
| 3.1.3.3 长线标准件（Line） | 第34-36页 |
| 3.1.4 LRM校准 | 第36-38页 |
| 3.1.5 校准技术总结 | 第38页 |
| 3.2 二端口去嵌技术 | 第38-43页 |
| 3.2.1 开路去嵌法 | 第39-40页 |
| 3.2.2 开路-短路去嵌法 | 第40页 |
| 3.2.3 直通去嵌法 | 第40-42页 |
| 3.2.4 直通-短路去嵌法 | 第42页 |
| 3.2.5 直通-开路去嵌法 | 第42页 |
| 3.2.6 去嵌方法小结 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 InP HEMT小信号模型及噪声模型 | 第44-56页 |
| 4.1 小信号等效电路模型及参数提取 | 第44-50页 |
| 4.1.1 InP HEMT小信号等效电路模型 | 第44-45页 |
| 4.1.2 InP HEMT小信号模型参数提取 | 第45-50页 |
| 4.1.2.1 寄生电容提取 | 第46-47页 |
| 4.1.2.2 寄生电感提取 | 第47-48页 |
| 4.1.2.3 寄生电阻提取 | 第48页 |
| 4.1.2.4 本征元件提取 | 第48-50页 |
| 4.2 噪声等效电路模型及参数提取 | 第50-55页 |
| 4.2.1 HEMT噪声模型综述 | 第51页 |
| 4.2.2 HEMT器件噪声基础 | 第51-53页 |
| 4.2.2.1 噪声源的分类与特点 | 第51-52页 |
| 4.2.2.2 二端元器件噪声的表征 | 第52-53页 |
| 4.2.3 噪声等效电路模型的建立 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 太赫兹InP HEMT单片低噪声放大器设计 | 第56-72页 |
| 5.1 总体电路结构 | 第56-57页 |
| 5.2 直流偏置电路设计 | 第57-60页 |
| 5.3 匹配电路设计 | 第60-64页 |
| 5.4 整体电路优化与仿真 | 第64-66页 |
| 5.5 测试结果与分析 | 第66-71页 |
| 5.5.1 增益的测量 | 第67-68页 |
| 5.5.2 噪声系数的测量 | 第68-70页 |
| 5.5.3 测试结果分析与展望 | 第70-71页 |
| 5.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |