基于CMOS工艺的SPAD阵列及像素单元电路设计
摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 研究背景 | 第10-11页 |
1.2 单光子探测原理 | 第11-13页 |
1.3 SPAD探测的研究现状和发展趋势 | 第13-14页 |
1.4 论文主要工作和结构安排 | 第14-15页 |
第二章 单光子雪崩光电二级管探测器的研究基础 | 第15-26页 |
2.1 雪崩光电二极管工作原理 | 第15-16页 |
2.2 SPAD的性能指标 | 第16-20页 |
2.2.1 光子探测效率 | 第16-17页 |
2.2.2 雪崩倍增因子 | 第17-18页 |
2.2.3 暗计数率 | 第18-19页 |
2.2.4 后脉冲 | 第19-20页 |
2.3 SPAD的淬灭与复位 | 第20-23页 |
2.3.1 被动式淬灭电路 | 第20-21页 |
2.3.2 主动式淬灭 | 第21-22页 |
2.3.3 门控淬灭式电路 | 第22-23页 |
2.4 SPAD的计数电路 | 第23-25页 |
2.4.1 数字计数电路 | 第23-24页 |
2.4.2 模拟计数电路 | 第24-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 单光子雪崩光电二级管的设计 | 第26-41页 |
3.1 CMOS工艺的SPAD结构发展 | 第26-27页 |
3.2 SPAD的保护环结构 | 第27-28页 |
3.3 SPAD的结构设计 | 第28-29页 |
3.4 仿真分析 | 第29-35页 |
3.5 SPAD的版图设计与测试验证 | 第35-40页 |
3.5.1 SPAD的版图设计 | 第35-36页 |
3.5.2 SPAD的测试验证 | 第36-40页 |
3.6 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 单光子雪崩光电二极管的淬灭电路 | 第41-64页 |
4.1 淬灭电路的仿真模型 | 第41-43页 |
4.2 淬灭电路的设计 | 第43-53页 |
4.2.1 设计要求 | 第43-45页 |
4.2.2 负载可变淬灭电路设计 | 第45-47页 |
4.2.3 电容感应淬灭电路 | 第47-50页 |
4.2.4 延迟电路设计 | 第50-53页 |
4.3 仿真结果与分析 | 第53-63页 |
4.3.1 延迟电路仿真分析 | 第53-55页 |
4.3.2 负载可变淬灭电路仿真 | 第55-59页 |
4.3.3 电容淬灭电路仿真 | 第59-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-64页 |
第五章 单光子雪崩二极管的计数电路 | 第64-78页 |
5.1 计数电路设计要求 | 第64页 |
5.2 数字计数电路 | 第64-67页 |
5.3 模拟计数电路 | 第67-70页 |
5.4 仿真分析 | 第70-74页 |
5.5 版图设计 | 第74-76页 |
5.6 本章小结 | 第76-78页 |
第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-86页 |
作者攻读硕士期间取得的研究成果 | 第86页 |