| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·应变硅研究现状 | 第7-9页 |
| ·应变硅发展趋势 | 第9-10页 |
| ·本文工作目的及内容 | 第10-13页 |
| 第二章 应变硅晶格结构及器件结构 | 第13-23页 |
| ·应变硅晶格结构 | 第13-15页 |
| ·应变硅能带结构 | 第15-17页 |
| ·应变硅器件的迁移率 | 第17-18页 |
| ·应变硅MOSFET结构 | 第18-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 应变硅器件参数模型及阈值电压模型 | 第23-31页 |
| ·应变硅器件参数模型 | 第23-24页 |
| ·应变硅器件能带模型 | 第24-25页 |
| ·应变Si/弛豫Si1-xGex结构的能带模型 | 第24-25页 |
| ·应变Si1-xGex/弛豫Si1-yGey结构的能带模型 | 第25页 |
| ·应变SGOI PMOSFET短沟道阈值电压模型 | 第25-29页 |
| ·模型验证与讨论 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 新型双栅应变硅MOSFET结构设计与工艺实现 | 第31-39页 |
| ·新型双栅应变硅MOSFET结构设计 | 第31-33页 |
| ·当前应变硅器件存在的主要问题 | 第31页 |
| ·双栅结构的设计 | 第31-32页 |
| ·SOI技术的特点 | 第32页 |
| ·双栅应变硅MOSFET结构设计 | 第32-33页 |
| ·双栅应变硅MOSFET的工艺实现 | 第33-37页 |
| ·关键工艺技术 | 第33-35页 |
| ·工艺流程设计 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 双栅应变硅MOSFET阈值电压模型 | 第39-49页 |
| ·双栅应变硅MOSFET阈值电压模型 | 第39-42页 |
| ·双栅应变硅MOSFET短沟道特性 | 第42-44页 |
| ·器件关键参数对阈值电压的影响 | 第44-47页 |
| ·应变硅沟道层厚度对阈值电压的影响 | 第44-45页 |
| ·沟道掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第45-46页 |
| ·栅氧化层厚度对阈值电压的影响 | 第46-47页 |
| ·Ge浓度对阈值电压的影响 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |