| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·SiC 的提出及其特点 | 第7-8页 |
| ·4H-SiC SIT 国内外发展现状 | 第8-9页 |
| ·本文的主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 凹栅4H-SiC SIT 的基本模型 | 第11-21页 |
| ·MEDICI 中的模型和参数的选取 | 第11-13页 |
| ·MEDICI 介绍 | 第11-12页 |
| ·模拟方法 | 第12页 |
| ·基本方程 | 第12-13页 |
| ·基于4H-SiC SIT 的基本模型和研究方法 | 第13-19页 |
| ·材料特性的模型和参数 | 第13-16页 |
| ·边界条件 | 第16-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 SIT 的结构演变和直流特性模拟 | 第21-35页 |
| ·SIT 的优良性能 | 第21-22页 |
| ·SIT 的结构类型 | 第22-26页 |
| ·静电感应晶体管的栅结构的变化 | 第22-24页 |
| ·肖特基势垒栅和离子注入栅SIT | 第24-26页 |
| ·新型的凹栅4H-SiC SIT 模型的建立 | 第26页 |
| ·凹栅4H-SiC SIT 直流特性模拟 | 第26-32页 |
| ·类五极管模式 | 第27-28页 |
| ·类三极管模式 | 第28-30页 |
| ·双极模式 | 第30-32页 |
| ·机理分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 影响凹栅4H-SiC SIT 直流特性的各种因素 | 第35-49页 |
| ·影响直流特性的各种结构参数 | 第35-42页 |
| ·沟道掺杂浓度 | 第35-36页 |
| ·沟道长度 | 第36-37页 |
| ·沟道宽度 | 第37-38页 |
| ·栅极宽度 | 第38-39页 |
| ·漂移层厚度 | 第39-40页 |
| ·漂移层浓度 | 第40-42页 |
| ·材料特性对器件性能的影响 | 第42-46页 |
| ·杂质不完全离化 | 第42-44页 |
| ·温度对4H-SiC SIT 性能的影响 | 第44-46页 |
| ·优化后的器件模型 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 凹栅4H-SiC SIT 工艺探讨 | 第49-55页 |
| ·凹栅4H-SiC SIT 中的关键工艺 | 第49-52页 |
| ·金属化 | 第49-50页 |
| ·离子注入和退火 | 第50-52页 |
| ·刻蚀 | 第52页 |
| ·凹栅4H-SiC SIT 工艺可行性 | 第52-55页 |
| 第六章 总结和展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |