| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 半导体发展概述 | 第8页 |
| 1.2 飞思卡尔 S08 系列微处理器概述 | 第8-9页 |
| 1.3 半导体芯片制造过程 | 第9-10页 |
| 1.4 半导体测试的意义 | 第10-11页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 飞思卡尔 S08 单片机 SG32/16 系列微处理器简介 | 第12-17页 |
| 2.1 S08 微处理器的特点 | 第12页 |
| 2.2 SG32/16 微处理器的特点及生产测试 | 第12-15页 |
| 2.2.1 SG32/16 系列微处理器的特点 | 第13页 |
| 2.2.2 SG32/16 系列微处理器的生产及测试 | 第13-15页 |
| 2.3 芯片的最终电性测试环节中的流程控制 | 第15-17页 |
| 第三章 ICS 模块的功能及应用 | 第17-23页 |
| 3.1 时钟信号在嵌入式系统中的重要性 | 第17-18页 |
| 3.2 ICS 模块简介 | 第18-21页 |
| 3.2.1 ICS 模块的特性 | 第19-20页 |
| 3.2.2 ICS 模块的工作模式 | 第20-21页 |
| 3.3 ICS 模块寄存器的种类及功能 | 第21-23页 |
| 3.3.1 ICS Trim 寄存器 | 第21-22页 |
| 3.3.2 ICS 状态及控制寄存器 | 第22-23页 |
| 第四章 ICS 模块测试方法 | 第23-31页 |
| 4.1 ICS 模块输出频率的特点 | 第23-24页 |
| 4.2 生产过程中 ICS 模块相关测试的基本思想 | 第24页 |
| 4.3 ICS 输出频率的测试及计算方法与误差 | 第24-25页 |
| 4.4 ICS Trim 值的计算及验证方法 | 第25-30页 |
| 4.4.1 晶圆测试厂的第一步测试过程 | 第25-27页 |
| 4.4.2 晶圆测试厂的第二步测试过程 | 第27-28页 |
| 4.4.3 最终电性测试过程中的低温测试 | 第28-29页 |
| 4.4.4 最终电性测试过程中的高温测试 | 第29页 |
| 4.4.5 最终电性测试过程中的室温测试 | 第29-30页 |
| 4.5 低温测试条件下对芯片进行重新 Trim 的可行性 | 第30-31页 |
| 第五章 提高 ICS 模块测试良品率的可行性分析 | 第31-42页 |
| 5.1 SG32 实际生产过程中的测试良品率 | 第31-36页 |
| 5.1.1 低温测试时的 ICS 模块测试良品率 | 第31-32页 |
| 5.1.2 高温测试时的 ICS 模块测试良品率 | 第32-36页 |
| 5.2 SG32 ICS 模块测试次品分析 | 第36-37页 |
| 5.3 SG32 ICS 模块 Trim 后的频率输出特性 | 第37-42页 |
| 5.3.1 样本的选取 | 第37页 |
| 5.3.2 实验的内容 | 第37-38页 |
| 5.3.3 实验的结果 | 第38-39页 |
| 5.3.4 实验的结论 | 第39-42页 |
| 第六章 ICS 模块 Trim 值自适应调节的程序实现与验证 | 第42-52页 |
| 6.1 ICS 模块 Trim 值自适应调整的程序实现 | 第42-49页 |
| 6.1.1 ICS 模块 Trim 值自适应调整方案 | 第42-44页 |
| 6.1.2 支持芯片 Trim 值自适应调整的的低温测试程序 | 第44-46页 |
| 6.1.3 支持芯片 Trim 值自适应调整的的高温测试程序 | 第46-49页 |
| 6.2 ICS 模块 Trim 值自适应调节对良品率的影响 | 第49-50页 |
| 6.3 ICS 模块 Trim 值自适应调节测试方法产生的经济效益 | 第50-51页 |
| 6.4 ICS 模块 Trim 值自适应调节思路的推广 | 第51-52页 |
| 第七章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 7.1 小结 | 第52页 |
| 7.2 SG32/16 系列芯片测试程序持续优化与完善的方向 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
