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MOCVD反应室温度场的研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 加热系统的研究现状第9-13页
        1.2.1 红外辐射加热第10-12页
        1.2.2 感应加热第12-13页
    1.3 研究背景及意义第13-14页
        1.3.1 研究背景第13-14页
        1.3.2 课题来源及意义第14页
    1.4 本文研究工作及结构安排第14-16页
        1.4.1 本文研究工作第14页
        1.4.2 论文结构第14-16页
第二章 温度场数值计算方法第16-26页
    2.1 控制方程和边界条件第16-17页
        2.1.1 控制方程第16-17页
        2.1.2 边界条件第17页
    2.2 热辐射的计算方程第17-18页
    2.3 网格生成的方法第18-22页
        2.3.1 结构化网格第19页
        2.3.2 非结构化网格第19-22页
        2.3.3 其它的网格生成方法第22页
    2.4 COMSOL软件介绍第22-25页
        2.4.1 COMSOL简介第22-24页
        2.4.2 软件应用第24-25页
    2.5 本章小结第25-26页
第三章 反应室温度场的影响因素第26-49页
    3.1 模型的建立第26-34页
        3.1.1 几何模型的建立第26-31页
        3.1.2 材料参数设定第31-33页
        3.1.3 域与边界条件的建立第33页
        3.1.4 网格划分第33-34页
    3.2 加热电阻丝的分布对温度场的影响第34-37页
    3.3 基座位置对温度场的影响第37-40页
        3.3.1 基座与电阻丝之间的距离对温度场的影响第37-39页
        3.3.2 基座与喷淋盖之间的距离对温度场的影响第39-40页
    3.4 反射板对温度场的影响第40-44页
        3.4.1 立式反射板对温度场的影响第40-43页
        3.4.2 卧式反射板对温度场的影响第43-44页
    3.5 加热功率对温度场的影响第44-46页
    3.6 气体流速对温度场的影响第46-47页
    3.7 本章小结第47-49页
第四章 反应室结构设计第49-65页
    4.1 反应室结构分类第49-51页
    4.2 结构设计第51-59页
        4.2.1 初步设计第51-54页
        4.2.2 结构优化第54-59页
    4.3 结构设计验证第59-63页
        4.3.1 温度测试第59-60页
        4.3.2 芯片外延结果测试第60-63页
    4.4 本章小结第63-65页
第五章 总结与展望第65-67页
    5.1 全文总结第65-66页
    5.2 展望第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-70页

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