MOCVD反应室温度场的研究
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 加热系统的研究现状 | 第9-13页 |
1.2.1 红外辐射加热 | 第10-12页 |
1.2.2 感应加热 | 第12-13页 |
1.3 研究背景及意义 | 第13-14页 |
1.3.1 研究背景 | 第13-14页 |
1.3.2 课题来源及意义 | 第14页 |
1.4 本文研究工作及结构安排 | 第14-16页 |
1.4.1 本文研究工作 | 第14页 |
1.4.2 论文结构 | 第14-16页 |
第二章 温度场数值计算方法 | 第16-26页 |
2.1 控制方程和边界条件 | 第16-17页 |
2.1.1 控制方程 | 第16-17页 |
2.1.2 边界条件 | 第17页 |
2.2 热辐射的计算方程 | 第17-18页 |
2.3 网格生成的方法 | 第18-22页 |
2.3.1 结构化网格 | 第19页 |
2.3.2 非结构化网格 | 第19-22页 |
2.3.3 其它的网格生成方法 | 第22页 |
2.4 COMSOL软件介绍 | 第22-25页 |
2.4.1 COMSOL简介 | 第22-24页 |
2.4.2 软件应用 | 第24-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 反应室温度场的影响因素 | 第26-49页 |
3.1 模型的建立 | 第26-34页 |
3.1.1 几何模型的建立 | 第26-31页 |
3.1.2 材料参数设定 | 第31-33页 |
3.1.3 域与边界条件的建立 | 第33页 |
3.1.4 网格划分 | 第33-34页 |
3.2 加热电阻丝的分布对温度场的影响 | 第34-37页 |
3.3 基座位置对温度场的影响 | 第37-40页 |
3.3.1 基座与电阻丝之间的距离对温度场的影响 | 第37-39页 |
3.3.2 基座与喷淋盖之间的距离对温度场的影响 | 第39-40页 |
3.4 反射板对温度场的影响 | 第40-44页 |
3.4.1 立式反射板对温度场的影响 | 第40-43页 |
3.4.2 卧式反射板对温度场的影响 | 第43-44页 |
3.5 加热功率对温度场的影响 | 第44-46页 |
3.6 气体流速对温度场的影响 | 第46-47页 |
3.7 本章小结 | 第47-49页 |
第四章 反应室结构设计 | 第49-65页 |
4.1 反应室结构分类 | 第49-51页 |
4.2 结构设计 | 第51-59页 |
4.2.1 初步设计 | 第51-54页 |
4.2.2 结构优化 | 第54-59页 |
4.3 结构设计验证 | 第59-63页 |
4.3.1 温度测试 | 第59-60页 |
4.3.2 芯片外延结果测试 | 第60-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-65页 |
第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
5.1 全文总结 | 第65-66页 |
5.2 展望 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |