| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 集成电路的演化 | 第14页 |
| 1.2 集成电路工艺演化所带来的制约因素 | 第14-15页 |
| 1.3 MOS 器件的漏极击穿的机制 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的写作动机及主要内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 本论文的写作动机 | 第16页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 试验器件的制备和测试方法 | 第19-25页 |
| 2.1 高压PMOS 器件的制备工艺 | 第19-20页 |
| 2.2 高压PMOS 的器件结构 | 第20页 |
| 2.3 高压PMOS 器件的漏极击穿电压的测试方法 | 第20-22页 |
| 2.3.1 测试设备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 测试方法 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第三章 工艺改进试验及其机制的分析 | 第25-32页 |
| 3.1 MOS 器件漏极击穿的界定方法 | 第25-26页 |
| 3.1.1 MOS 器件漏极击穿物理机制的界定 | 第25-26页 |
| 3.1.2 提升高压PMOS 漏极击穿电压的设想 | 第26页 |
| 3.2 提升高压PMOS 漏极击穿电压的工艺改进试验 | 第26-29页 |
| 3.2.1 源漏轻掺杂扩散离子注入后快速热处理对漏极击穿电压的影响 | 第26-28页 |
| 3.2.2 保留RTA,源漏轻掺杂扩散离子注入对漏极击穿电压的影响 | 第28页 |
| 3.2.3 取消RTA 时，源漏轻掺杂扩散离子注入对漏极击穿电压的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 工艺改进试验的机制分析 | 第29-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第四章 工艺改进前后的其他电性参数的比较及其机制分析 | 第32-38页 |
| 4.1 工艺改进对该工艺改进的其他关键电性参数的影响 | 第32-34页 |
| 4.1.1 工艺改进对器件阈值电压的影响 | 第32-33页 |
| 4.1.2 工艺改进对器件饱和驱动电流的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.3 工艺改进对器件的漏电流的影响 | 第34页 |
| 4.2 工艺改进对器件的其他电性参数影响的机制分析 | 第34-35页 |
| 4.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第五章 工艺改进后器件的可靠性评估 | 第38-47页 |
| 5.1 高压PMOS 器件可靠性评估中所用的测试设备 | 第38-39页 |
| 5.1.1 高压PMOS 器件热载流子效应可靠性评估所用的测试设备 | 第38-39页 |
| 5.1.2 高压PMOS 器件漏极和栅极高压负载可靠性评估所用的测试设备 | 第39页 |
| 5.2 工艺改进后高压PMOS 器件的热载流子效应的可靠性评估 | 第39-41页 |
| 5.2.1 高压PMOS 器件的热载流子效应可靠性评估方法 | 第39-40页 |
| 5.2.2 高压PMOS 器件的热载流子效应可靠性评估数据及其结果 | 第40-41页 |
| 5.3 工艺改进后高压PMOS 器件的漏极高压负载可靠性评估 | 第41-43页 |
| 5.3.1 高压PMOS 器件的漏极高压负载可靠性评估方法 | 第41-42页 |
| 5.3.2 高压PMOS 器件的漏极高压负载可靠性测试数据及其结果 | 第42-43页 |
| 5.4 工艺改进后高压PMOS 器件的栅极高压负载可靠性测试 | 第43-46页 |
| 5.4.1 高压PMOS 器件的栅极高压负载可靠性测试方法 | 第43-44页 |
| 5.4.2 高压PMOS 器件的栅极高压负载可靠性测试数据及其结果 | 第44-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第六章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读工程硕士学位期间发表的学术论文 | 第50页 |
