摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
前言 | 第12-14页 |
1 纳米压印技术 | 第14-30页 |
1.1 纳米压印技术研究背景 | 第14-15页 |
1.2 纳米压印技术的发展历史 | 第15-16页 |
1.3 分类 | 第16-24页 |
1.3.1 热压印技术 | 第16-17页 |
1.3.2 微接触压印技术 | 第17-19页 |
1.3.3 滚动式压印 | 第19-20页 |
1.3.4 基于 HSQ 的纳米压印 | 第20-21页 |
1.3.5 紫外纳米压印技术 | 第21-24页 |
1.3.5.1 紫外纳米压印的工艺过程 | 第21-22页 |
1.3.5.2 紫外纳米压印的分类 | 第22-23页 |
1.3.5.3 紫外纳米压印技术的特点 | 第23-24页 |
1.4 纳米压印技术的应用 | 第24-28页 |
1.4.1 微镜 | 第24-25页 |
1.4.2 场效应晶体管 | 第25-26页 |
1.4.3 光栅 | 第26页 |
1.4.4 传感器 | 第26-27页 |
1.4.5 磁存贮器 | 第27-28页 |
1.5 研究现状 | 第28-30页 |
2 多孔氧化铝模板 | 第30-35页 |
2.1 阳极氧化铝膜的类型 | 第30页 |
2.1.1 阻挡型氧化铝 | 第30页 |
2.1.2 多孔型氧化铝 | 第30页 |
2.2 阳极氧化铝模板的微细结构 | 第30-31页 |
2.3 阳极氧化铝模板的制备 | 第31-33页 |
2.3.1 预处理 | 第32页 |
2.3.2 二次阳极氧化 | 第32-33页 |
2.3.3 后处理 | 第33页 |
2.4 多孔阳极氧化铝模板参数的调整 | 第33-34页 |
2.5 多孔阳极氧化铝模板的应用 | 第34-35页 |
3 亚波长减反射结构膜 | 第35-42页 |
3.1 亚波长减反射的研究意义 | 第35页 |
3.2 亚波长结构减反射薄膜 | 第35-36页 |
3.3 工作原理 | 第36-37页 |
3.4 亚波长减反射膜的制备 | 第37-40页 |
3.4.1 电子束曝光与原子束刻蚀法(EBL+FAB) | 第37页 |
3.4.2 旋涂法(EBL+RIE+Spin-coating) | 第37-38页 |
3.4.3 全息光刻法(Holography+RIE) | 第38-39页 |
3.4.4 模板法(PAO+FAB) | 第39-40页 |
3.4.5 纳米压印法(NIL) | 第40页 |
3.5 国内外研究现状和趋势 | 第40-42页 |
4 亚波长结构减反射膜的制备 | 第42-60页 |
4.1 研究目的和意义 | 第42页 |
4.2 实验设计 | 第42-52页 |
4.2.1 阳极氧化铝模板 | 第42-43页 |
4.2.2 光刻胶的选择 | 第43-47页 |
4.2.2.1 紫外光固化光刻胶的参数 | 第43-45页 |
4.2.2.2 几种光刻胶的比较 | 第45-47页 |
a) WaterShed XC 11122 | 第45页 |
b) PAK01 | 第45-46页 |
c) NIF 系列光刻胶 | 第46页 |
d) mr-UVCur06 | 第46-47页 |
4.2.3 脱模技术的选择 | 第47-52页 |
4.2.3.1 光滑缓冲层的纳米压印模法 | 第48-49页 |
4.2.3.2 离子束改进光刻胶 | 第49页 |
4.2.3.3 含氟模板工艺(F-template) | 第49-50页 |
4.2.3.4 全氟辛基三氯硅烷蒸镀法 | 第50-52页 |
4.3 制备过程 | 第52-55页 |
4.3.1 本课题的可行性分析 | 第52-53页 |
4.3.2 基底准备 | 第53页 |
4.3.3 模板准备 | 第53页 |
4.3.4 涂胶 | 第53-54页 |
4.3.5 压印与曝光 | 第54页 |
4.3.6 脱模 | 第54-55页 |
4.4 实验结果的表征 | 第55-56页 |
4.4.1 扫描电子显微镜 | 第55-56页 |
4.4.2 原子力显微镜 | 第56页 |
4.5 反射率测量 | 第56-57页 |
4.6 几个问题的讨论和分析 | 第57-60页 |
4.6.1 曝光时间比较长 | 第57页 |
4.6.2 复制出的图形高度 | 第57-58页 |
4.6.3 模板的贯通性 | 第58页 |
4.6.4 模板的厚度 | 第58-59页 |
4.6.5 模板的正反面 | 第59-60页 |
5 结论与展望 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-67页 |
攻读学位期间发表论文 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |