| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| 1.1 现今集成电路制造工艺概述 | 第7页 |
| 1.2 课题选题背景和意义 | 第7-8页 |
| 1.3 课题的实施方案和目的 | 第8页 |
| 1.4 论文的主要内容 | 第8-9页 |
| 第二章 炉管工艺概述 | 第9-14页 |
| 2.1 炉管分类 | 第9页 |
| 2.2 炉管工艺应用 | 第9-11页 |
| 2.3 炉管工艺中缺陷分类 | 第11-14页 |
| 第三章 炉管颗粒控制常用的工具和方法 | 第14-20页 |
| 3.1 颗粒检测设备 | 第14页 |
| 3.2 QC七大手法 | 第14-18页 |
| 3.3 DOE在半导体制造中的应用 | 第18-20页 |
| 第四章 晶舟和挡片变形产生的颗粒问题解决方案 | 第20-27页 |
| 4.1 晶舟和挡片变形产生的颗粒问题的背景分析 | 第20-22页 |
| 4.2 晶舟和挡片变形产生的颗粒问题原因 | 第22-23页 |
| 4.3 晶舟和挡片变形产生的颗粒解决方案 | 第23-26页 |
| 4.4 晶舟和挡片变形产生的颗粒解决方案的验证与总结 | 第26-27页 |
| 第五章 薄层氮化硅结晶类颗粒问题与解决 | 第27-34页 |
| 5.1 薄层氮化硅结晶类颗粒背景分析 | 第27-29页 |
| 5.2 薄层氮化硅结晶类颗粒原因 | 第29-30页 |
| 5.3 薄层氮化硅结晶类颗粒解决方案 | 第30-33页 |
| 5.4 薄层氮化硅结晶类颗粒解决方案的验证与总结 | 第33-34页 |
| 第六章 LPCVD掺杂硅机台颗粒问题解决 | 第34-45页 |
| 6.1 掺杂多晶硅层鼓包(Bump defect)缺陷的分析和实验 | 第34-41页 |
| 6.2 掺杂多晶硅层鼓包(Bump defect)缺陷的解决方案小结 | 第41-42页 |
| 6.3 掺杂多晶硅层最优化解决方案的产线检验 | 第42-45页 |
| 第七章 总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
