| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 低压Power MOS器件应用背景 | 第8页 |
| 1.2 低压Power MOS面临的问题和挑战 | 第8-11页 |
| 1.3 低压Power MOS器件研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 论文的主要内容及组织结构 | 第14-16页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第14页 |
| 1.4.3 论文的组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 低压Power MOS器件基本结构与研究方法 | 第16-22页 |
| 2.1 低压Power MOS器件基本结构与制备工艺 | 第16-18页 |
| 2.1.1 器件基本结构 | 第16页 |
| 2.1.2 器件制备工艺 | 第16-17页 |
| 2.1.3 器件基本电学特性 | 第17-18页 |
| 2.2 低压Power MOS器件测试与研究方法 | 第18-20页 |
| 2.2.1 器件特征导通电阻测试方法 | 第18-19页 |
| 2.2.2 器件击穿特性测试与判定方法 | 第19页 |
| 2.2.3 器件ESD鲁棒性测试方法 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 低压Power MOS器件特征导通电阻研究 | 第22-30页 |
| 3.1 器件参数对Power MOS器件特征导通电阻影响 | 第22-25页 |
| 3.1.1 沟道长度对器件特征导通电阻影响 | 第22-23页 |
| 3.1.2 源漏接触孔到栅极边界的距离对器件特征导通电阻影响 | 第23页 |
| 3.1.3 漏端N+到栅极边界的距离对器件特征导通电阻影响 | 第23-24页 |
| 3.1.4 沟道宽度对器件特征导通电阻影响 | 第24-25页 |
| 3.2 版图布局对Power MOS器件特征导通电阻影响 | 第25-28页 |
| 3.2.1 SAB布局方式对器件特征导通电阻影响 | 第25-27页 |
| 3.2.2 源漏接触孔的间距与对齐方式对器件特征导通电阻影响 | 第27-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章 低压Power MOS器件击穿特性研究 | 第30-38页 |
| 4.1 器件参数对Power MOS器件击穿特性影响 | 第30-34页 |
| 4.1.1 沟道长度对器件击穿特性影响 | 第30-31页 |
| 4.1.2 源漏接触孔到栅极边界的距离对器件击穿特性影响 | 第31-32页 |
| 4.1.3 漏端N+到栅极边界的距离对器件击穿特性影响 | 第32-33页 |
| 4.1.4 沟道宽度对器件击穿特性影响 | 第33-34页 |
| 4.2 版图布局对Power MOS器件击穿特性影响 | 第34-36页 |
| 4.2.1 SAB布局方式对器件击穿特性影响 | 第34页 |
| 4.2.2 源漏接触孔的间距与对齐方式对器件击穿特性影响 | 第34-36页 |
| 4.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第五章 低压Power MOS器件ESD特性研究 | 第38-54页 |
| 5.1 Power MOS器件ESD响应特性 | 第38-40页 |
| 5.1.1 Power MOS器件ESD响应原理 | 第38-39页 |
| 5.1.2 Power MOS器件ESD失效类型 | 第39-40页 |
| 5.2 器件参数对Power MOS器件ESD鲁棒性影响 | 第40-50页 |
| 5.2.1 沟道长度对器件ESD鲁棒性影响 | 第40-42页 |
| 5.2.2 接触孔到栅极边界的距离对器件ESD鲁棒性影响 | 第42-47页 |
| 5.2.3 漏端N+到栅极边界的距离对器件ESD鲁棒性影响 | 第47-48页 |
| 5.2.4 沟道宽度对器件ESD鲁棒性影响 | 第48-50页 |
| 5.3 版图布局对Power MOS器件ESD鲁棒性影响 | 第50-52页 |
| 5.3.1 SAB布局方式对器件ESD鲁棒性影响 | 第50-51页 |
| 5.3.2 源漏接触孔的间距与对齐方式对器件ESD鲁棒性影响 | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 低压Power MOS器件优化设计及应用 | 第54-60页 |
| 6.1 低压Power MOS器件优化设计 | 第54-57页 |
| 6.1.1 Power MOS器件结构优化设计 | 第54-55页 |
| 6.1.2 Power MOS版图布局优化设计 | 第55页 |
| 6.1.3 Power MOS器件性能测试 | 第55-57页 |
| 6.2 低压Power MOS在降压型DC-DC转换器中的应用 | 第57-59页 |
| 6.2.1 Power MOS器件在降压型DC-DC转换器中的工作原理 | 第57-58页 |
| 6.2.2 降压型DC-DC转换器性能测试 | 第58页 |
| 6.2.3 降压型DC-DC转换器的ESD鲁棒性测试 | 第58-59页 |
| 6.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 7.1 总结 | 第60-61页 |
| 7.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
