| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·研究现状 | 第11-12页 |
| ·论文的主要内容和组织 | 第12-14页 |
| 第二章 SiGe HBT | 第14-19页 |
| ·SiGe 工艺 | 第14-15页 |
| ·HBT 的发展历史 | 第15页 |
| ·HBT 中的异质p-n 结 | 第15-17页 |
| ·HBT 中的电流输运 | 第17页 |
| ·HBT 的应用 | 第17-19页 |
| 第三章 HBT 常见物理效应及等效电路模型 | 第19-31页 |
| ·HBT 常见物理效应 | 第19-21页 |
| ·电流增益下降的成因 | 第19-20页 |
| ·发射极电流集边效应 | 第20-21页 |
| ·HBT 常见模型概述 | 第21-22页 |
| ·HICUM 模型特征 | 第22-24页 |
| ·HICUM 模型拓扑 | 第24-31页 |
| ·准静态传输电流 | 第25页 |
| ·少数载流子电荷、渡越时间和扩散电容 | 第25-26页 |
| ·静态基极电流的组成部分 | 第26-27页 |
| ·内部基极电阻 | 第27-28页 |
| ·外部（寄生）偏压无关电容 | 第28页 |
| ·外部串联电阻 | 第28-29页 |
| ·晶体管击穿 | 第29-30页 |
| ·衬底网络与寄生衬底晶体管 | 第30页 |
| ·热网络 | 第30-31页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管基本原理 | 第31-43页 |
| ·GaN 材料的性质与特点 | 第31-33页 |
| ·晶体结构 | 第31-32页 |
| ·能带结构 | 第32-33页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构 | 第33-36页 |
| ·自发极化 | 第34页 |
| ·压电极化 | 第34-36页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 | 第36-40页 |
| ·二维电子气的形成 | 第36页 |
| ·金属半导体接触 | 第36-38页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管基本结构 | 第38-40页 |
| ·常规AlGaN/GaN HEMT 的局限性 | 第40-41页 |
| ·线性度问题 | 第40-41页 |
| ·缓冲层隔离问题 | 第41页 |
| ·AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN HEMT 结构 | 第41-43页 |
| 第五章 模型参数提取 | 第43-56页 |
| ·测试环境和测试方案 | 第43-46页 |
| ·器件测试环境 | 第43-44页 |
| ·器件测试方案 | 第44-46页 |
| ·器件测试结果与仿真比较 | 第46-53页 |
| ·HBT 测试与仿真结果 | 第46-51页 |
| ·HEMT 测试与仿真结果 | 第51-53页 |
| ·RF 测试及去嵌技术 | 第53-56页 |
| ·RF 测试 | 第53页 |
| ·RF 去嵌 | 第53-56页 |
| 第六章 基于HICUM 的Scalable 模型研究 | 第56-65页 |
| ·HBT Scalable 模型的建立方法 | 第56-57页 |
| ·HICUM 模型参数Scalable 结果 | 第57-65页 |
| 第七章 基于EEHEMT 的Scalable 模型研究 | 第65-73页 |
| ·HEMT Scalable 模型的建立方法 | 第65-66页 |
| ·EEHEMT 模型参数 Scalable 结果 | 第66-73页 |
| 第八章 结束语 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73-74页 |
| ·进一步工作展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 附录 | 第80-81页 |
| 详细摘要 | 第81-84页 |
