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考虑工艺波动的纳米级CMOS互连延时和串扰分析

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·研究背景第7-9页
   ·研究意义第9-10页
   ·国内外研究现状第10-11页
   ·本文主要工作与结构安排第11-13页
第二章 纳米级集成电路互连性能参数第13-39页
   ·互连的基本概念第13-15页
   ·互连寄生参数第15-20页
     ·互连电阻第15-16页
     ·互连电容第16-19页
     ·互连电感第19-20页
   ·互连线等效电气模型第20-22页
     ·集总模型第21页
     ·分布参数模型第21-22页
   ·互连延时第22-28页
     ·Elmore 延时模型第22-24页
     ·等效 Elmore 延时模型第24-27页
     ·基于传输线模型的延时估算第27-28页
   ·互连串扰第28-38页
     ·耦合源第28-30页
     ·串扰感应噪声第30-31页
     ·开关模式对互连串扰的影响第31-34页
     ·串扰噪声模型第34-37页
     ·串扰的特性及减小串扰的方法第37-38页
   ·本章小结第38-39页
第三章 工艺波动及其对互连寄生参数影响的分析第39-49页
   ·互连工艺波动问题第39-42页
     ·互连工艺波动第40页
     ·互连波动对电路性能的影响第40-42页
     ·特征尺寸减小对工艺波动的影响第42页
   ·蒙特卡罗方法第42-45页
     ·基本思想第42-44页
     ·随机变量的正态分布第44-45页
     ·Hspice 中的蒙特卡罗分析第45页
   ·互连工艺波动对寄生参数的影响第45-48页
   ·本章小结第48-49页
第四章 考虑工艺波动的互连延时分析第49-59页
   ·考虑工艺波动的 RC 互连延时模型第49-52页
     ·模型的建立第50-51页
     ·仿真结果和讨论第51-52页
   ·考虑工艺波动的 RLC 互连延时模型第52-56页
     ·互连工艺波动对 RLC 电路矩的影响第53-54页
     ·模型的建立第54页
     ·仿真结果与讨论第54-56页
   ·斜阶跃信号激励下的互连延时分析第56-57页
   ·本章小结第57-59页
第五章 考虑工艺波动的互连串扰分析第59-71页
   ·互连串扰模型第59-65页
     ·本文串扰模型第59-63页
     ·仿真结果及讨论第63-65页
   ·互连耦合效应对带宽的影响第65-69页
   ·本章小结第69-71页
第六章 结束语第71-73页
致谢第73-75页
参考文献第75-83页
研究成果第83-84页

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