| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| ·硅恒流器件的发展与现状 | 第12页 |
| ·硅恒流器件的应用特征 | 第12-13页 |
| ·硅恒流器件在LED电路中的应用 | 第13-14页 |
| ·硅恒流器件芯片可制造性设计的意义及必要性 | 第14-15页 |
| ·硅恒流器件应用前景和开发的意义 | 第14-15页 |
| ·“可制造设计”及其在半导体分立器件行业中应用的必要性 | 第15页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 硅恒流器件的工作原理 | 第17-23页 |
| ·硅恒流器件的基本结构 | 第17页 |
| ·硅恒流器件的工作原理 | 第17-19页 |
·可变电阻区：0| 第18-19页 | |
·恒流区：V_S| 第19页 | |
| ·击穿区：V_(AK)>V_(BO)段 | 第19页 |
| ·硅恒流器件的主要内部参数 | 第19-23页 |
| ·起始电压V_S | 第19-20页 |
| ·恒流电流I_H | 第20页 |
| ·击穿电压V_(BO) | 第20-21页 |
| ·动态内阻r_H | 第21页 |
| ·温度系数α_T | 第21-23页 |
| 第三章 硅恒流器件结构参数的设计 | 第23-26页 |
| ·硅恒流器件相关参数的设计 | 第23-25页 |
| ·衬底和外延层的选择 | 第23页 |
| ·外延层厚度的选择 | 第23-24页 |
| ·沟道厚度、长度和宽度的设定 | 第24-25页 |
| ·硅恒流器件参数的总结 | 第25-26页 |
| 第四章 硅恒流器件制程设计及模拟方案 | 第26-29页 |
| ·半导体恒流器件芯片的工艺流程 | 第26-27页 |
| ·半导体恒流器件的模拟方案 | 第27-29页 |
| 第五章 硅恒流器件工艺级设计的实现 | 第29-34页 |
| ·硅恒流器件芯片工艺仿真卡命令文件的编写 | 第29-32页 |
| ·使用SDE完成由Process到Device的接口过渡 | 第32-34页 |
| 第六章 恒流管物理特性仿真的实现 | 第34-41页 |
| ·物理特性仿真简介及流程 | 第34-35页 |
| ·物理特性仿真卡命令文件 | 第35-41页 |
| 第七章 硅恒流器件可制造性设计结果及分析 | 第41-49页 |
| ·工艺制程仿真结果及分析 | 第41-43页 |
| ·物理特性仿真结果及分析 | 第43-49页 |
| 第八章 硅恒流器件关键参数的优化分析 | 第49-54页 |
| ·硅恒流器件温度系数α_T的研究 | 第49-51页 |
| ·关于器件温度系数α_T对比仿真 | 第49-50页 |
| ·并联电阻法恒流补偿的讨论分析 | 第50-51页 |
| ·关于器件动态内阻的对比仿真 | 第51-54页 |
| 结束语 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第60页 |