| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景和意义 | 第8-9页 |
| ·低功耗多米诺电路研究现状 | 第9-11页 |
| ·论文的工作 | 第11-12页 |
| 第2章 多米诺电路低功耗设计 | 第12-19页 |
| ·CMOS电路低功耗研究背景 | 第12-15页 |
| ·CMOS电路的功耗分析 | 第12-14页 |
| ·充放电功耗 | 第12-13页 |
| ·短路电流功耗 | 第13页 |
| ·漏电流功耗 | 第13-14页 |
| ·CMOS电路低功耗设计方法 | 第14-15页 |
| ·系统级低功耗设计 | 第14页 |
| ·行为级、结构级低功耗设计 | 第14-15页 |
| ·电路级低功耗设计 | 第15页 |
| ·物理级低功耗设计 | 第15页 |
| ·亚65 nm低功耗高性能多米诺电路设计背景 | 第15-18页 |
| ·多米诺电路工作原理 | 第15-16页 |
| ·多米诺电路的特性 | 第16-17页 |
| ·亚65 nm CMOS电路的主要功耗分析 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 亚65nm低功耗高性能多米诺或门的设计研究 | 第19-27页 |
| ·文献提出的多输入多米诺或门 | 第19-21页 |
| ·双阈值多米诺或门 | 第19-20页 |
| ·NMOS-Sleep多米诺或门 | 第20-21页 |
| ·亚65 nm低功耗高性能多米诺或门的设计 | 第21-22页 |
| ·模拟结果 | 第22-26页 |
| ·动态功耗比较 | 第23-24页 |
| ·漏电流比较 | 第24-26页 |
| ·110℃漏电流比较 | 第24-25页 |
| ·25℃漏电流比较 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第4章 亚65 nm双阈值footed多米诺电路的漏电流特性研究 | 第27-36页 |
| ·双阈值footed多米诺电路漏电流特性研究 | 第27-32页 |
| ·双阈值footed多米诺电路漏电流通路 | 第27-31页 |
| ·单个低阈值NMOS管的栅极漏电流分析 | 第28-29页 |
| ·不同休眠状态下的双阈值footed多米诺电路漏电流分析 | 第29-31页 |
| ·单个晶体管亚阈值漏电流和栅极漏电流比较 | 第31-32页 |
| ·模拟结果 | 第32-35页 |
| ·110℃ 的漏电流 | 第33-34页 |
| ·25℃的漏电流 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第5章 考虑参数浮动影响后亚65 nm双阈值footed多米诺电路漏电流特性研究 | 第36-40页 |
| ·参数浮动对亚65 nm双阈值footed多米诺电路漏电流特性的影响 | 第36-38页 |
| ·亚65 nm双阈值footed多米诺电路抗参数浮动特性研究 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第6章 结论与展望 | 第40-42页 |
| ·本文的工作总结 | 第40页 |
| ·进一步的工作 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
