| 独创性声明 | 第1页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·概述 | 第11-12页 |
| ·多晶硅薄膜材料的制备方法 | 第12-16页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第12-13页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第13-14页 |
| ·液相外延(LPE)法 | 第14页 |
| ·在衬底上直接沉积多晶硅薄膜 | 第14-16页 |
| ·多晶硅薄膜的结构 | 第16-17页 |
| ·成核理论 | 第16-17页 |
| ·多晶硅薄膜的成核 | 第17页 |
| ·多晶硅薄膜的应用 | 第17-20页 |
| ·多晶硅薄膜在太阳能电池中的应用 | 第17-19页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)在平板显示领域中的应用 | 第19-20页 |
| ·多晶硅薄膜在传感领域内的应用 | 第20页 |
| ·预期达到的目标 | 第20-21页 |
| 第二章 多晶硅薄膜沉积理论 | 第21-33页 |
| ·化学气相沉积动力学的一般考虑 | 第21-25页 |
| ·复相生长薄膜的过程 | 第21-23页 |
| ·边界层与质量转移系数 | 第23-25页 |
| ·化学气相沉积多晶硅薄膜的动力学 | 第25-27页 |
| ·常压化学气相淀积多晶硅薄膜的动力学 | 第25-26页 |
| ·低压化学气相淀积多晶硅薄膜的动力 | 第26-27页 |
| ·多晶硅薄膜的生长理论 | 第27-32页 |
| ·成核理论 | 第27-31页 |
| ·沉积条件对多晶硅薄膜形貌的影响 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 实验设备和材料分析技术 | 第33-43页 |
| ·实验设备及原理 | 第33-37页 |
| ·低压等离子体辅助化学气相沉积原理 | 第33-34页 |
| ·ECR—PECVD中低温等离子体的产生及特点 | 第34-35页 |
| ·ECR—PECVD的总体结构及其特征 | 第35-37页 |
| ·材料的分析手段 | 第37-42页 |
| ·高能电子衍射仪 | 第37-40页 |
| ·X射线衍射 | 第40-41页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 实验结果及讨论 | 第43-61页 |
| ·衬底、硅源和氩气的选择 | 第43-46页 |
| ·衬底材料的选择 | 第43-44页 |
| ·硅源的选择 | 第44-45页 |
| ·氩气的选择 | 第45-46页 |
| ·等离子体清洗实验 | 第46-51页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第46页 |
| ·等离子体清洗 | 第46-51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| ·生长实验 | 第51-55页 |
| ·多晶硅薄膜生长过程工艺选择的实验结果与分析(Rheed图) | 第52-53页 |
| ·实验结果比较与分析 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| ·实验结果的讨论 | 第55-61页 |
| ·原子力显微镜的观察结果 | 第56-59页 |
| ·多晶硅薄膜的扫描电镜观察结果 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67页 |