| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题的背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米现象和纳米科技 | 第9-11页 |
| 1.2.1 纳米现象与效应 | 第9-11页 |
| 1.2.2 纳米材料的应用 | 第11页 |
| 1.3 气敏传感器 | 第11-15页 |
| 1.3.1 气敏传感器的定义与分类 | 第11-13页 |
| 1.3.2 气敏传感器的表征参数 | 第13-14页 |
| 1.3.3 气敏传感器的发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.4 课题相关异质结半导体简介 | 第15-20页 |
| 1.4.1 异质结气敏传感器研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4.2 氧化钨气敏传感器 | 第17-19页 |
| 1.4.3 二氧化碲半导体简介 | 第19-20页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容和意义 | 第20-22页 |
| 第2章 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒气敏传感器制备 | 第22-30页 |
| 2.1 实验材料和仪器 | 第22-25页 |
| 2.2 实验过程 | 第25-29页 |
| 2.2.1 基片的清洗 | 第25-26页 |
| 2.2.2 叉指电极制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 氧化钨纳米棒的生长 | 第27页 |
| 2.2.4 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒结构制备 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒结构表征 | 第30-36页 |
| 3.1 FESEM表征 | 第30-31页 |
| 3.2 TEM表征 | 第31-32页 |
| 3.3 XRD物相分析 | 第32-33页 |
| 3.4 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒生长机理研究 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒气敏性能研究 | 第36-46页 |
| 4.1 气敏测试系统 | 第36-37页 |
| 4.2 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒结构NO2气敏性能分析 | 第37-41页 |
| 4.2.1 工作温度特性 | 第37-38页 |
| 4.2.2 灵敏度及动态响应特性 | 第38-40页 |
| 4.2.3 气体选择性 | 第40页 |
| 4.2.4 响应恢复特性 | 第40-41页 |
| 4.3 氧化钨/氧化碲表面异质纳米棒的气敏机理 | 第41-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 垂直定向氧化钨/氧化碲核壳异质纳米线阵列制备及分析 | 第46-54页 |
| 5.1 金属钨薄膜的溅射沉积 | 第46-47页 |
| 5.2 准定向氧化钨纳米线阵列的热氧化生长 | 第47-48页 |
| 5.3 氧化碲壳层的沉积 | 第48-49页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第49-51页 |
| 5.4.1 FESEM表征 | 第49-50页 |
| 5.4.2 XRD表征 | 第50-51页 |
| 5.5 氧化钨/氧化碲核壳异质结构纳米线生长机理 | 第51页 |
| 5.6 本章小结 | 第51-54页 |
| 第6章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54页 |
| 6.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
