| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 MoS_2的结构与性质 | 第12-17页 |
| 1.2.1 TMDCs的概述 | 第12页 |
| 1.2.2 MoS_2的原子结构 | 第12-14页 |
| 1.2.3 MoS_2的能带结构 | 第14-15页 |
| 1.2.4 MoS_2的光学性质 | 第15-16页 |
| 1.2.5 MoS_2的电学性质 | 第16-17页 |
| 1.2.6 MoS_2的力学性质 | 第17页 |
| 1.3 MoS_2的制备 | 第17-21页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第18页 |
| 1.3.2 液相剥离法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 热分解钼酸铵盐法 | 第20-21页 |
| 1.3.5 原子层沉积法 | 第21页 |
| 1.4 MoS_2的应用 | 第21-26页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第22-23页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第23-24页 |
| 1.4.3 高灵敏湿度传感器 | 第24页 |
| 1.4.4 柔性电子器件 | 第24-26页 |
| 1.5 国内外相关课题研究现状 | 第26-28页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 背栅MoS_2场效应晶体管的制备与表征 | 第29-44页 |
| 2.1 MoS_2场效应晶体管的制备 | 第29-35页 |
| 2.1.1 MoS_2薄膜样品的制备 | 第30-32页 |
| 2.1.2 电极的转移与贴合 | 第32-35页 |
| 2.2 MoS_2场效应晶体管的表征 | 第35-43页 |
| 2.2.1 Raman光谱表征 | 第35-38页 |
| 2.2.2 AFM表征 | 第38-41页 |
| 2.2.3 SMM表征 | 第41-42页 |
| 2.2.4 XPS表征 | 第42-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 背栅单层MoS_2场效应晶体管的电学特性 | 第44-57页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-56页 |
| 3.3.1 单层MoS_2场效应晶体管的AFM表征 | 第46页 |
| 3.3.2 单层MoS_2场效应晶体管的Raman光谱表征 | 第46-47页 |
| 3.3.3 背栅单层MoS_2场效应晶体管电学特性 | 第47-53页 |
| 3.3.4 退火对单层MoS_2场效应晶体管电学特性的影响 | 第53-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 低温氧等离子体处理对MoS_2场效应晶体管电学特性的影响 | 第57-76页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 低温氧等离子体处理技术 | 第57-60页 |
| 4.2.1 低温氧等离子体概述 | 第57-59页 |
| 4.2.2 低温氧等离子体处理的原理与过程 | 第59-60页 |
| 4.3 实验 | 第60页 |
| 4.4 结果与分析 | 第60-75页 |
| 4.4.1 处理前MoS_2场效应晶体管的电学特性 | 第60-61页 |
| 4.4.2 低功率氧等离子体处理后MoS_2样品的表征 | 第61-62页 |
| 4.4.3 低功率氧等离子体处理后MoS_2场效应晶体管的电学特性 | 第62-66页 |
| 4.4.4 高功率氧等离子体处理后MoS_2样品的表征 | 第66-67页 |
| 4.4.5 高功率氧等离子体处理后MoS_2场效应晶体管的电学特性 | 第67-69页 |
| 4.4.6 氧等离子体处理对MoS_2的表面电势及电容变化的影响 | 第69-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 总结 | 第76-77页 |
| 5.2 展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其他科研成果 | 第87-88页 |
