| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 CdMnTe晶体的电学、光学特性 | 第14-17页 |
| 1.2.1 CdMnTe晶体的电阻率 | 第14页 |
| 1.2.2 CdMnTe晶体的载流子输运特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 CdMnTe晶体的光学性能 | 第15-17页 |
| 1.3 CdMnTe晶体的表面处理 | 第17-21页 |
| 1.3.1 机械研磨与机械抛光 | 第17-18页 |
| 1.3.2 化学抛光 | 第18-19页 |
| 1.3.3 化学机械抛光 | 第19-20页 |
| 1.3.4 表面钝化 | 第20-21页 |
| 1.4 CdMnTe晶体与金属的接触特性与金属电极制备 | 第21-24页 |
| 1.4.1 肖特基接触 | 第21-23页 |
| 1.4.2 欧姆接触 | 第23-24页 |
| 1.4.3 CdMnTe晶体表面电极制备 | 第24页 |
| 1.5 本课题主要研究内容 | 第24-27页 |
| 1.5.1 本课题研究的意义 | 第24-25页 |
| 1.5.2 本课题的研究目的和内容 | 第25-27页 |
| 第二章 CdMnTe晶体的表面处理的研究 | 第27-39页 |
| 2.1 CdMnTe晶体的表面机械研磨与抛光 | 第27-29页 |
| 2.2 CdMnTe晶体表面化学抛光与化学机械抛光 | 第29-31页 |
| 2.2.1 CdMnTe晶体表面化学抛光 | 第29页 |
| 2.2.2 CdMnTe晶体化学机械抛光法 | 第29-30页 |
| 2.2.3 CdMnTe晶体化学机械抛光+化学抛光法 | 第30-31页 |
| 2.3 抛光处理后CdMnTe晶体表面状态表征 | 第31-38页 |
| 2.3.1 OM, HRSEM和AFM研究CdMnTe晶体表面形貌状态 | 第31-34页 |
| 2.3.2 EDS和XPS研究CdMnTe晶体表面成分状态 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 CdMnTe晶体电极制备及I/V特性研究 | 第39-45页 |
| 3.1 Cd MTe晶体表面Au电极制备 | 第39-41页 |
| 3.1.1 真空蒸发法 | 第39-40页 |
| 3.1.2 化学沉积法 | 第40-41页 |
| 3.2 化学沉积法和真空蒸发法制备Au/CdMnTe接触I/V特性 | 第41-43页 |
| 3.3 四种表面抛光处理方法的Au/CdMnTe接触I/V特性 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 传输线模型表征Au/CdMnTe欧姆接触特性 | 第45-59页 |
| 4.1 传输线模型及其原理 | 第45-52页 |
| 4.1.1 线性传输线模型 | 第45-48页 |
| 4.1.2 多环传输线模型 | 第48-52页 |
| 4.2 改进的传输线模型原理 | 第52-55页 |
| 4.2.1 单环传输线模型原理 | 第52-54页 |
| 4.2.2 单环传输线模型电极尺寸 | 第54-55页 |
| 4.3 单环传输线模型电极制备 | 第55-58页 |
| 4.3.1 光刻 | 第55-57页 |
| 4.3.2 氯化金化学沉积 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Au/CdMnTe接触电阻率的研究 | 第59-64页 |
| 5.1 传输线模型计算Au/CdMnTe接触电阻率 | 第59-60页 |
| 5.2 CdMnTe表面处理对接触电阻率的影响 | 第60-61页 |
| 5.3 电极退火对接触电阻率的影响 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64-65页 |
| 6.2 本文创新点 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第72-73页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
