| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 4H-SiC JBS二极管的研究意义及进展 | 第17-20页 |
| 1.1.1 4H-SiC JBS二极管的研究意义 | 第17-19页 |
| 1.1.2 4H-SiC JBS二极管的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.2 4H-SiC浮动结器件的研究意义及进展 | 第20-22页 |
| 1.2.1 4H-SiC浮动结器件的研究意义 | 第20-21页 |
| 1.2.2 4H-SiC浮动结器件的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第22-25页 |
| 第二章 4H-SiC FJ-JBS器件的原胞设计 | 第25-43页 |
| 2.1 4H-SiC FJ-JBS器件的工作原理 | 第25-28页 |
| 2.1.1 传统 4H-SiC JBS器件的工作原理 | 第25页 |
| 2.1.2 4H-SiC FJ-JBS器件的工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2 4H-SiC器件的仿真模型及材料参数 | 第28-32页 |
| 2.3 器件原胞外延参数及浮动结和表面结参数的确定 | 第32-40页 |
| 2.3.1 器件原胞外延参数的确定 | 第32-36页 |
| 2.3.2 器件原胞浮动结和表面结参数的确定 | 第36-39页 |
| 2.3.3 其他参数及实验参数的确定 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-43页 |
| 第三章 4H-SiC FJ-JBS器件的终端设计 | 第43-55页 |
| 3.1 场限环结构终端技术 | 第43-45页 |
| 3.1.1 传统场限环终端 | 第43-44页 |
| 3.1.2 具有浮动结结构的场限环终端 | 第44-45页 |
| 3.2 器件终端设计 | 第45-53页 |
| 3.2.1 场限环结构参数的初步确定 | 第45-49页 |
| 3.2.2 场限环结构参数的优化设计 | 第49-52页 |
| 3.2.3 场限环终端的实验设计 | 第52-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 器件的制备及性能测试 | 第55-71页 |
| 4.1 浮动结版图的设计 | 第55-56页 |
| 4.2 器件的工艺流程 | 第56-59页 |
| 4.3 测试结果及分析 | 第59-69页 |
| 4.3.1 FJ-SBD与传统SBD器件的性能对比 | 第59-61页 |
| 4.3.2 FJ-JBS器件与FJ-SBD器件的性能对比 | 第61-63页 |
| 4.3.3 具有不同浮动结结构的FJ-JBS器件的性能对比 | 第63-66页 |
| 4.3.4 不同终端结构器件的性能测试 | 第66-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
