IGBT疲劳老化失效剩余使用寿命预测的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 寿命预测的研究方法 | 第16-17页 |
| 1.2.1 基于保险和预警装置的方法 | 第16页 |
| 1.2.2 基于失效物理模型的实施途径 | 第16-17页 |
| 1.2.3 基于数据驱动的实施途径 | 第17页 |
| 1.3 课题研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 论文的主要内容及章节安排 | 第18-21页 |
| 第二章 绝缘栅双极晶体管基本特性与失效模式 | 第21-33页 |
| 2.1 IGBT基本结构 | 第21-22页 |
| 2.2 IGBT工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3 IGBT等效电路模型 | 第23-25页 |
| 2.4 IGBT失效模式 | 第25-28页 |
| 2.4.1 与封装有关的失效模式 | 第26-27页 |
| 2.4.2 与芯片有关的失效 | 第27-28页 |
| 2.5 IGBT模块失效常用监测参数 | 第28-31页 |
| 2.5.1 栅极-发射极阈值电压 | 第29页 |
| 2.5.2 开关转换时间 | 第29页 |
| 2.5.3 结温和内部热阻 | 第29-30页 |
| 2.5.4 集电极-发射极饱和压降 | 第30页 |
| 2.5.5 监测参数的分析和选择 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 IGBT老化分析及参数建模 | 第33-47页 |
| 3.1 IGBT老化热应力分析 | 第33-35页 |
| 3.2 硬件架构设计 | 第35-38页 |
| 3.2.1 驱动电路模块设计 | 第36-37页 |
| 3.2.2 控制流程 | 第37-38页 |
| 3.3 老化过程的数据处理与分析 | 第38-40页 |
| 3.4 IGBT老化建模依据分析 | 第40页 |
| 3.5 老化阶段模型参数估计 | 第40-44页 |
| 3.5.1 参数估计方法原理 | 第40-41页 |
| 3.5.2 模型参数估计 | 第41-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 IGBT剩余使用寿命的预测及评价 | 第47-63页 |
| 4.1 寿命预测算法 | 第47-49页 |
| 4.1.1 算法选择 | 第47-48页 |
| 4.1.2 产生随机数原理 | 第48-49页 |
| 4.2 基于随机过程模型的预测分析 | 第49-51页 |
| 4.3 随机模型的预测结果及分析 | 第51-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63页 |
| 5.2 技术展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
