| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 课题来源 | 第12页 |
| 1.2 课题研究的目的和意义 | 第12-13页 |
| 1.3 研究概况 | 第13-25页 |
| 1.3.1 二维半导体材料概述 | 第13-14页 |
| 1.3.2 MoS_2的晶体结构和电子能带结构 | 第14-15页 |
| 1.3.3 MoS_2的电学接触和肖特基势垒 | 第15-17页 |
| 1.3.4 MoS_2的散射机理 | 第17-22页 |
| 1.3.5 MoS_2器件的发展概况 | 第22-25页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 二硫化钼的制备和表征 | 第27-36页 |
| 2.1 MoS_2的制备方法 | 第27-30页 |
| 2.1.1 生长MoS_2的方法和原理 | 第27-29页 |
| 2.1.2 MoS_2的剥离方法 | 第29-30页 |
| 2.2 MoS_2的表征与分析 | 第30-35页 |
| 2.2.1 拉曼表征和分析 | 第30-33页 |
| 2.2.2 TEM表征和分析 | 第33-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 二硫化钼与栅介质的能带排布 | 第36-42页 |
| 3.1 XPS测量半导体能级原理 | 第36页 |
| 3.2 MoS_2与多种介质接触的能带排布 | 第36-41页 |
| 3.2.1 多层MoS_2/SiO_2结构的能带排布 | 第36-38页 |
| 3.2.2 多层MoS_2与其它介质接触时的能带排布 | 第38-39页 |
| 3.2.3 利用含氟气体调节MoS_2/介质系统的能带排布 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 背栅MoS_2场效应晶体管的制备与性能分析 | 第42-52页 |
| 4.1 背栅MoS_2场效应晶体管的制备 | 第42-44页 |
| 4.2 具有薄层SiO_2栅氧的背栅MoS_2器件的电学性能 | 第44-47页 |
| 4.3 不同栅氧条件下的背栅MoS_2器件性能对比 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 背栅MoS_2场效应晶体管的回滞分析 | 第52-64页 |
| 5.1 背栅MoS_2器件的回滞现象 | 第52-53页 |
| 5.2 电压偏置对器件回滞的影响 | 第53-55页 |
| 5.3 电压扫描范围对器件回滞的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 沟道表面的快速充放电对器件回滞的影响 | 第57-63页 |
| 5.4.1 不同扫描条件对亚阈值斜率的影响 | 第57-59页 |
| 5.4.2 快速界面态影响器件性能的机理 | 第59-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 影响MoS_2器件性能的其它因素 | 第64-78页 |
| 6.1 背栅漏电噪声对器件性能的影响 | 第64-67页 |
| 6.2 温度变化对MoS_2器件迁移率的影响 | 第67-68页 |
| 6.3 串联电阻对器件性能的影响及分析 | 第68-77页 |
| 6.3.1 串联电阻主导的迁移率衰减 | 第68-72页 |
| 6.3.2 利用Y-function方法修正器件参数流程 | 第72-74页 |
| 6.3.3 利用Y-function方法提取MoS_2背栅器件参数 | 第74-77页 |
| 6.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第七章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 7.1 结论 | 第78-79页 |
| 7.2 展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文及专利 | 第87-91页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
