摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-18页 |
1.1 研究背景及意义 | 第8-10页 |
1.2 研究现状 | 第10-15页 |
1.2.1 微带线泄漏现象的产生 | 第10-11页 |
1.2.2 传输线的泄漏现象分析方法 | 第11-12页 |
1.2.3 漏波天线的发展和应用 | 第12-13页 |
1.2.4 合成传输线的发展 | 第13-14页 |
1.2.5 太赫兹技术 | 第14-15页 |
1.3 本课题创新点和结构安排 | 第15-18页 |
第2章 合成传输线的数值计算分析 | 第18-34页 |
2.1 基于全波分析的广义散射矩阵分析 | 第18-22页 |
2.1.1 周期性结构 | 第18-19页 |
2.1.2 广义散射矩阵 | 第19页 |
2.1.3 基于全波分析的广义散射矩阵 | 第19-22页 |
2.2 合成传输线模型的建立 | 第22-24页 |
2.3 数值分析结果的验证 | 第24-34页 |
2.3.1 0.13 μm CMOS二维合成传输线模型 | 第24-25页 |
2.3.2 合成传输线数的值分析 | 第25-26页 |
2.3.3 分析W和Wh对合成传输线传播特性的影响 | 第26-27页 |
2.3.4 合成传输线模态耦合特性的研究 | 第27-30页 |
2.3.5 合成传输线第一高阶模态(EH1)的验证实验 | 第30-34页 |
第3章 合成传输线的泄漏特性验证 | 第34-44页 |
3.1 太赫兹测试平台 | 第34-35页 |
3.2 测试晶片 | 第35-36页 |
3.3 Marchand巴伦的设计 | 第36-42页 |
3.3.1 互补式传导耦合线的特性 | 第36-38页 |
3.3.2 Marchand巴伦的设计与特性 | 第38-41页 |
3.3.3 Marchand巴伦背靠背测试电路的设计和测量 | 第41-42页 |
3.4 去嵌入式方法 | 第42-43页 |
3.5 测试结果分析 | 第43-44页 |
第4章 基于合成传输线的天线设计 | 第44-60页 |
4.1 单晶漏波天线理论的介绍 | 第44-45页 |
4.2 均匀接地板合成传输线漏波天线设计 | 第45-50页 |
4.2.1 天线测量系统 | 第47-48页 |
4.2.2 漏波天线的测量结果 | 第48-50页 |
4.3 合成传输线漏波天线的设计 | 第50-60页 |
4.3.1 合成传输线漏波天线的结构 | 第50-52页 |
4.3.2 合成传输线Wh和W对天线辐射特性的影响 | 第52-55页 |
4.3.3 合成传输线漏波天线的晶片 | 第55-56页 |
4.3.4 合成传输线漏波天线的测量结果 | 第56-60页 |
第5章 总结与展望 | 第60-62页 |
5.1 本文的主要工作 | 第60-61页 |
5.2 工作展望 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第68-69页 |
致谢 | 第69-70页 |